[发明专利]光导天线、太赫兹波产生装置、拍摄装置、成像装置有效

专利信息
申请号: 201310015567.1 申请日: 2013-01-16
公开(公告)号: CN103219631B 公开(公告)日: 2017-09-22
发明(设计)人: 竹中敏 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01S1/02 分类号: H01S1/02;G01N21/17
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 李伟,舒艳君
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及光导天线、太赫兹波产生装置、拍摄装置、成像装置以及计测装置。光导天线是被照射脉冲光从而产生太赫兹波的光导天线,具有第一导电区域,其由第一导电型的半导体材料构成;第二导电区域,其处于相对于上述第一导电区域隔着规定的间隙的位置并且由第二导电型的半导体材料构成;以及半导体区域,其位于上述第一导电区域和上述第二导电区域之间的上述间隙,上述半导体区域的上述间隙中的界面、上述第一导电区域的一方的界面以及上述第二导电区域的一方的界面位于同一面内,上述第一导电区域的另一方的界面和上述第二导电区域的另一方的界面相对于上述半导体区域的上述间隙中的界面位于同一侧。
搜索关键词: 天线 赫兹 产生 装置 拍摄 成像
【主权项】:
一种光导天线,其特征在于,是被照射脉冲光从而产生太赫兹波的光导天线,具有:第一导电区域,其由包含第一导电型的杂质的半导体材料构成;第二导电区域,其在俯视所述光导天线时,位于相对于所述第一导电区域隔着规定的间隙的位置,并且由包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质的半导体材料构成;半导体区域,其位于所述俯视时的所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的所述间隙,并且由与所述第一导电区域的半导体材料相比载流子浓度低的半导体材料或者与所述第二导电区域的半导体材料相比载流子浓度低的半导体材料构成;第一电极,其与所述第一导电区域电连接,并且被设置在所述第一导电区域上;以及第二电极,其与所述第二导电区域电连接,并且被设置在所述第二导电区域上,所述半导体区域的所述间隙中的界面、所述第一导电区域的一方的界面以及所述第二导电区域的一方的界面位于同一面内,位于所述第一导电区域的所述一方的界面的相反侧的另一方的界面和位于所述第二导电区域的所述一方的界面的相反侧的另一方的界面相对于所述半导体区域的所述间隙中的界面位于同一侧。
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