[发明专利]光导天线、太赫兹波产生装置、拍摄装置、成像装置

权利要求书

1.一种光导天线，其特征在于，

是被照射脉冲光从而产生太赫兹波的光导天线，具有：

第一导电区域，其由包含第一导电型的杂质的半导体材料构成；

第二导电区域，其在俯视所述光导天线时，位于相对于所述第一导电区域隔着规定的间隙的位置，并且由包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质的半导体材料构成；

半导体区域，其位于所述俯视时的所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的所述间隙，并且由与所述第一导电区域的半导体材料相比载流子浓度低的半导体材料或者与所述第二导电区域的半导体材料相比载流子浓度低的半导体材料构成；

第一电极，其与所述第一导电区域电连接，并且被设置在所述第一导电区域上；以及

第二电极，其与所述第二导电区域电连接，并且被设置在所述第二导电区域上，

所述半导体区域的所述间隙中的界面、所述第一导电区域的一方的界面以及所述第二导电区域的一方的界面位于同一面内，

位于所述第一导电区域的所述一方的界面的相反侧的另一方的界面和位于所述第二导电区域的所述一方的界面的相反侧的另一方的界面相对于所述半导体区域的所述间隙中的界面位于同一侧。

2.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于，

所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的所述间隙被所述半导体区域填充。

3.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于，

在所述俯视时，所述第一电极和所述第一导电区域呈相同形状。

4.根据权利要求3所述的光导天线，其特征在于，

在所述俯视时，所述第二电极和所述第二导电区域呈相同形状。

5.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于，

具有绝缘区域，该绝缘区域设置于在所述俯视时位于所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的所述间隙的所述半导体区域的界面上的至少一部分上。

6.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于，

所述半导体材料是Ⅲ－V族化合物半导体。

7.一种太赫兹波产生装置，其特征在于，

具备权利要求1所记载的光导天线和产生所述脉冲光的光源。

8.一种太赫兹波产生装置，其特征在于，

具备权利要求2所记载的光导天线和产生所述脉冲光的光源。

9.一种太赫兹波产生装置，其特征在于，

具备权利要求5所记载的光导天线和产生所述脉冲光的光源。

10.一种拍摄装置，其特征在于，具备：

权利要求1所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源以及对从所述光导天线射出且被对象物反射了的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部。

11.一种拍摄装置，其特征在于，具备：

权利要求2所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源以及对从所述光导天线射出且被对象物反射了的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部。

12.一种拍摄装置，其特征在于，具备：

权利要求5所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源以及对从所述光导天线射出且被对象物反射了的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部。

13.一种成像装置，其特征在于，具备：

权利要求1所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源、对从所述光导天线射出且透过了对象物或者被所述对象物反射了的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部以及根据所述太赫兹波检测部的检测结果来生成所述对象物的图像的图像形成部。

14.根据权利要求13所述的成像装置，其特征在于，

所述图像形成部使用由所述太赫兹波检测部检测出的所述太赫兹波的强度来生成所述对象物的图像。

15.一种成像装置，其特征在于，具备：

权利要求2所记载的光导天线、产生所述脉冲光的光源、对从所述光导天线射出且透过了对象物或者被所述对象物反射了的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部以及根据所述太赫兹波检测部的检测结果来生成所述对象物的图像的图像形成部。