[发明专利]通过直接转换半导体层来转换X射线辐射的方法和设备有效
| 申请号： | 201310015453.7 | 申请日： | 2013-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103207404A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | C.施罗特 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;H01L31/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 谢强 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于通过直接转换半导体层（4）来转换X射线辐射（5）的方法，该半导体层具有上表面（6）和在半导体层（4）的厚度上延伸的侧面边界面（7）。X射线辐射（5）穿过上表面（6）入射到半导体层（4）内，同时红外线辐射（3）平行于上表面（6）地穿过至少一个侧面边界面（7）透射半导体层（4）。在该方法中如下地设定红外线辐射（3）的强度轮廓（10、11）：使红外线辐射（3）的强度从上表面（6）开始关于半导体层（4）的厚度降低。借助上述方法和附属设备，通过直接转换半导体层实现了对X射线探测器调整的改善，这导致在X射线成像中更少的图像伪影。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 直接 转换 半导体 射线 辐射 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于通过直接转换半导体层（4）来转换X射线辐射的方法，该半导体层具有上表面（6）和在该半导体层（4）的厚度上延伸的侧面边界面（7），其中：‑所述X射线辐射（5）穿过上表面（6）入射到所述半导体层（4）内；‑同时，红外线辐射（3）穿过至少一个侧面边界面（7）平行于上表面（6）地透射该半导体层（4）；‑其中，如下地设定所述红外线辐射（3）的强度轮廓（10，11）：使该红外线辐射（3）的强度从上表面（6）开始关于所述半导体层（4）的厚度降低。
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