[发明专利]通过直接转换半导体层来转换X射线辐射的方法和设备

权利要求书

1.一种用于通过直接转换半导体层（4）来转换X射线辐射的方法，该半导体层具有上表面（6）和在该半导体层（4）的厚度上延伸的侧面边界面（7），其中：

-所述X射线辐射（5）穿过上表面（6）入射到所述半导体层（4）内；

-同时，红外线辐射（3）穿过至少一个侧面边界面（7）平行于上表面（6）地透射该半导体层（4）；

-其中，如下地设定所述红外线辐射（3）的强度轮廓（10，11）：使该红外线辐射（3）的强度从上表面（6）开始关于所述半导体层（4）的厚度降低。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，如下地设定所述强度轮廓（10，11）：使所述红外线辐射（3）的强度从上表面（6）开始关于所述半导体层（4）的厚度线性地降低。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，如下地设定所述强度轮廓（10，11）：使所述红外线辐射（3）的强度从上表面（6）开始关于所述半导体层（4）的厚度指数地降低。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，如下地设定所述强度轮廓（10，11）：使所述红外线辐射（3）的强度衰减从上表面（6）开始关于所述半导体层（4）的厚度，遵循与所入射的X射线辐射（5）关于所述半导体层（4）的厚度的X射线辐射强度衰减相对应的历程。

5.根据权利要求1至4所述的方法，其特征在于，通过红外光源（9）的二维阵列生成所述红外线辐射（3），并且通过对所述红外光源（9）的控制实现对该红外线辐射（3）的强度轮廓（10，11）的设定。

6.根据权利要求1至4所述的方法，其特征在于，通过一个或多个使红外线辐射减弱的元件（8）来实现对所述红外线辐射（3）的强度轮廓（10，11）的设定，该元件在红外线辐射（3）的光束路径中，被引入在位于一个或多个用于生成所述红外线辐射（3）的红外光源（9）和所述半导体层（4）的侧面边界面（7）之间。

7.根据权利要求1至4所述的方法，其特征在于，通过部分地吸收红外线辐射的层（8）来实现对所述红外线辐射（3）的强度轮廓（10，11）的设定，该层具有一个关于所述半导体层（4）的厚度而改变的厚度，被设置在半导体层（4）的侧面边界面（7）上。

8.一种用于通过直接转换半导体层（4）来转换X射线辐射的设备，该半导体层具有上表面（6）、在该半导体层（4）的厚度上延伸的侧面边界面（7）以及如下地配置和组成的红外照明装置（8，9）：使该红外照明装置能够利用红外线辐射（3）平行于上表面（6）地穿过至少一个侧面边界面（7）透射所述半导体层（4），该红外线辐射具有如下的强度轮廓：该红外线辐射（3）的强度在透射所述半导体层（4）的情况下，从上表面（6）开始，关于该半导体层（4）的厚度降低。

9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述红外照明装置（8，9）具有红外光源（9）的二维阵列。

10.根据权利要求8或9所述的设备，其特征在于，所述红外照明装置（8，9）具有一个或多个在红外线辐射（3）的光束路线中使红外线辐射减弱的元件（8），通过所述元件形成了所述强度轮廓。

11.根据权利要求8或9所述的设备，其特征在于，在所述半导体层（4）的侧面边界面（7）上设置了部分吸收红外线辐射的层（8），其中，所述部分吸收红外线辐射的层（8）的厚度从半导体层（4）的上表面（6）开始关于半导体层（4）的厚度增加。