[发明专利]具有沟槽触点的半导体晶体管及其形成方法

摘要

本发明涉及具有沟槽触点的半导体晶体管及其形成方法。在本文中描述的实施例涉及具有沟槽触点的半导体晶体管，特别地涉及一种具有在栅电极下面的场电极的半导体晶体管，并且涉及用于制作具有沟槽触点的半导体晶体管的相关方法。

主权项

一种用于制作半导体晶体管构件的方法，包括：提供带有限定竖直方向的第一表面的半导体本体；限定有源区域、第一接触区域和第二接触区域；在所述半导体本体中形成竖直沟槽，从而在竖直截面中，第一竖直沟槽、第二竖直沟槽和第三竖直沟槽从所述第一表面延伸到所述半导体本体中，所述第一竖直沟槽在所述有源区域中形成，所述第二竖直沟槽在所述第一接触区域中形成，并且所述第三竖直沟槽在所述第二接触区域中形成；在所述第二竖直沟槽中和在所述第一竖直沟槽的下部中形成分别的第一传导区域，从而在所述第二竖直沟槽中的所述第一传导区域在所述第一表面上方延伸；在所述第一竖直沟槽的上部中和在所述第三竖直沟槽的上部中形成分别的第二传导区域；在所述第一竖直沟槽中、在所述第三竖直沟槽中和在所述第一表面上形成绝缘层，从而所述绝缘层具有在所述第一竖直沟槽的所述第二传导区域上方的第一凹部、在所述第三竖直沟槽的所述第二传导区域上方的第二凹部和在所述第二竖直沟槽的所述第一传导区域上方的突起；在所述绝缘层上沉积多晶半导体层；和各向异性蚀刻所述多晶半导体层以在所述第一凹部之下的所述绝缘层保持被覆盖时在所述第二凹部中使所述绝缘层部分地凹进。