[发明专利]具有沟槽触点的半导体晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种用于制作半导体晶体管构件的方法，包括：

提供带有限定竖直方向的第一表面的半导体本体；

限定有源区域、第一接触区域和第二接触区域；

在所述半导体本体中形成竖直沟槽，从而在竖直截面中，第一竖直沟槽、第二竖直沟槽和第三竖直沟槽从所述第一表面延伸到所述半导体本体中，所述第一竖直沟槽在所述有源区域中形成，所述第二竖直沟槽在所述第一接触区域中形成，并且所述第三竖直沟槽在所述第二接触区域中形成；

在所述第二竖直沟槽中和在所述第一竖直沟槽的下部中形成分别的第一传导区域，从而在所述第二竖直沟槽中的所述第一传导区域在所述第一表面上方延伸；

在所述第一竖直沟槽的上部中和在所述第三竖直沟槽的上部中形成分别的第二传导区域；

在所述第一竖直沟槽中、在所述第三竖直沟槽中和在所述第一表面上形成绝缘层，从而所述绝缘层具有在所述第一竖直沟槽的所述第二传导区域上方的第一凹部、在所述第三竖直沟槽的所述第二传导区域上方的第二凹部和在所述第二竖直沟槽的所述第一传导区域上方的突起；

在所述绝缘层上沉积多晶半导体层；和

各向异性蚀刻所述多晶半导体层以在所述第一凹部之下的所述绝缘层保持被覆盖时在所述第二凹部中使所述绝缘层部分地凹进。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括使用各向异性蚀刻的多晶半导体层作为蚀刻掩模来蚀刻所述绝缘层以暴露所述第三竖直沟槽的所述第二传导区域和紧邻所述第一竖直沟槽的台面中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多晶半导体层在竖直截面中被以低于所述第二凹部的宽度的大约一半的最小高度沉积。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述竖直沟槽从而所述第一竖直沟槽在竖直截面中具有第一宽度，并且其中所述第三竖直沟槽在竖直截面中具有大于所述第一宽度的第三宽度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第三宽度大于所述第一宽度的大约两倍。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述竖直沟槽从而所述第二竖直沟槽在竖直截面中具有第二宽度，并且其中所述第三竖直沟槽在竖直截面中具有大于所述第二宽度的第三宽度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二凹部在竖直截面中包括底壁和与所述底壁形成在从大约120°到大约150°的范围中的角度的侧壁。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述半导体本体的周边区域中限定所述第一接触区域和/或所述第二接触区域。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层被形成为HDP氧化物。

10.根据权利要求1所述的方法，其中以大约150nm到大约600nm的竖直高度沉积所述多晶半导体层。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

形成部分地覆盖紧邻所述第二竖直沟槽的各向异性蚀刻的多晶半导体层的剩余部分的另外的掩模；和

使用所述另外的掩模和各向异性蚀刻的多晶半导体层的所述剩余部分作为蚀刻掩模来蚀刻所述绝缘层以暴露所述第二竖直沟槽的所述第一传导区域、所述第三竖直沟槽的所述第二传导区域和紧邻所述第一竖直沟槽的台面。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一竖直沟槽、所述第二竖直沟槽和所述第三竖直沟槽被形成为公共沟槽的部分。

13.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下中的至少一个：

在所述第一表面上形成与所述第二竖直沟槽中的所述第一传导区域电接触的第一金属化；

在所述第一表面上形成与所述第三竖直沟槽中的所述第二传导区域电接触的第二金属化；和

形成与所述第一金属化相对地布置的第三金属化。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一金属化与在紧邻所述第一竖直沟槽的所述有源区域中的半导体台面电接触。

15.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在形成所述绝缘层之前形成至少在所述有源区域中基本平行于所述第一表面延伸的第一pn结和第二pn结。