[发明专利]一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液及其清洗工艺

摘要

本发明涉及晶体硅太阳电池去金属离子清洗技术领域，尤其是一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液及其清洗工艺，由螯合剂1.0×10-5mol/L-1.0×10-3mol/L，使清洗液pH值范围在2-4的酸，及去离子水组成，第一步：使用HF溶液、HF+H2O2+H2O溶液或BOE+H2O2+H2O溶液中的一种在室温下清洗硅片1-5min；第二步：使用去离子水清洗硅片；第三步：室温下使用上述清洗液清洗2-10min；第四步：使用去离子水冲洗硅片，将残留在硅片表面的酸清洗掉。本发明配方简单，成本低廉，去除晶体硅片金属离子污染效果好，清洗工艺在室温下进行，生产成本低，操作简单。

主权项

一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液，其特征是，由以下组分组成：螯合剂1.0×10‑5mol/L ‑1.0×10‑3mol/L，使清洗液PH值范围在2‑4的酸，及去离子水。