[发明专利]一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液及其清洗工艺

权利要求书

1.一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液，其特征是，由以下组分组成：螯合剂1.0×10^-5mol/L -1.0×10^-3mol/L，使清洗液PH值范围在2-4的酸，及去离子水。

2.根据权利要求1所述的一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液，其特征是，所述的螯合剂为乙二胺四乙酸、次氮基三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液，其特征是，所述的酸为盐酸、氢氟酸、乙酸、6:1的缓冲蚀刻液或10:1的缓冲蚀刻液中的一种或多种。

4.根据权利要求1、2或3所述的一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液的清洗工艺，其特征是，清洗步骤如下：

第一步：使用HF溶液、HF+H₂O₂+H₂O溶液或缓冲蚀刻液+H₂O₂+H₂O溶液中的一种在室温下清洗硅片1-5 min；HF酸溶液质量浓度为3%-10%，HF+H₂O₂+H₂O溶液按体积比1:1:5配制，缓冲蚀刻液+H₂O₂+H₂O溶液按体积比1:1:5配制；

第二步：使用去离子水清洗硅片；

第三步：室温下使用上述清洗液清洗2-10min；

第四步：使用去离子水冲洗硅片，将残留在硅片表面的酸清洗掉。