[发明专利]一种硅基片及横向扩散金属氧化物半导体有效
| 申请号： | 201310013042.4 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103928512A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;北京北大方正电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制备技术领域，特别涉及一种硅基片及横向扩散金属氧化物半导体LDMOS，用于消除硅基片上的沟槽在进行LOCOS工艺后残留的空隙，提高LDMOS的合格率。本发明公开了一种硅基片，包括：硅基片本体，以及间隔均匀的设置在硅基片本体上的多个沟槽；且多个沟槽的底面积之和与硅基片本体上多个沟槽所在的面的面积满足以下关系式：S1/S=0.56，其中，S1为多个沟槽的底面积之和，S为硅基片本体上多个沟槽所在的面的面积。上述硅基片完成LOCOS工艺后，多个沟槽将由生成的二氧化硅完全填充满，不会留有空隙，从而提高了LDMOS的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基片 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
一种硅基片，其特征在于，包括：硅基片本体，以及间隔均匀的设置在所述硅基片本体上的多个沟槽；且所述多个沟槽的底面积之和与所述硅基片本体上多个沟槽所在的面的面积满足以下关系式：S1/S=0.56其中，S1为多个沟槽的底面积之和，S为硅基片本体上多个沟槽所在的面的面积。
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