[发明专利]一种硅基片及横向扩散金属氧化物半导体

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，特别涉及一种硅基片及横向扩散金属氧化物半导体。

背景技术

在横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal OxideSemiconductor，以下简称LDMOS）中，由于高频特性，对寄生电容要求比较高，寄生电容越小越好；因此，为了降低LDMOS的寄生电容，通常采用在硅基片上开设沟槽的方法，然后利用硅的局部氧化（Local Oxide of Silicon,以下简称LOCOS）工艺将沟槽填平，具体地，首先用SiN薄膜覆盖在隔离沟槽的硅表面，然后将硅基片未覆盖SiN薄膜区即沟槽暴漏在高温氧化环境中，生成二氧化硅将沟槽填平。

不过，现有硅基片上的沟槽，在LOCOS工艺完成后，经常出现沟槽不能完全填充满的现象，出现空隙，如图1、图2和图3所示，在硅基片10上设置有多个纵向沟槽20和横向沟槽21，在纵向沟槽20和横向沟槽21交界的位置,二氧化硅30没有完全填充满纵向沟槽20和横向沟槽21，在纵向沟槽20和横向沟槽21交界的位置有明显的空隙1存在；在非沟槽交界位置，虽然两边的二氧化硅30刚好接触，但在后续使用氢氟酸去除SiN薄膜表面的氧化层时，非沟槽交界位置也会出现空隙2。因此，当采用光阻回刻法对硅基片10进行鸟头平坦化时，会出现液态物掉进空隙中，而且空隙深度一般为5微米左右，这些掉进去的液态物质很难被清洗出去，就会形成残留，导致在进行后续工序时，污染炉管，晶片颗粒增多，降低LDMOS的合格率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅基片及LDMOS，用以消除硅基片上的沟槽在进行LOCOS工艺后残留的空隙，提高LDMOS的合格率。

为了实现上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种硅基片，包括：硅基片本体，以及间隔均匀的设置在所述硅基片本体上的多个沟槽；且所述多个沟槽的底面积之和与所述硅基片本体上多个沟槽所在的面的面积满足以下关系式：

S₁/S=0.56

其中，S₁为多个沟槽的底面积之和，S为硅基片本体上多个沟槽所在的面的面积。

优选地，所述沟槽为矩形沟槽。

较佳地，每一个所述矩形沟槽的宽度和相邻两个所述矩形沟槽之间的间距满足分别满足以下关系式：

A₁=T₁×0.44×2

A₂=T₁×0.56×2

其中，A₁为相邻两个矩形沟槽之间的间距，A₂为每一个矩形沟槽的宽度，T₁为每一个矩形沟槽的深度。

优选地，所述沟槽为圆形沟槽。

较佳地，每一个所述圆形沟槽的宽度和相邻两个所述圆形沟槽之间的间距满足分别满足以下关系式：

B₁=T₂×0.27

B₂=T₂×0.56×2

其中，B₁为相邻两个圆形沟槽之间的间距，B₂为每一个圆形沟槽的直径，T₂为每一个圆形沟槽的深度。

优选地，所述沟槽还可以为三角形沟槽或六边形沟槽。

本发明同时还提供了一种横向扩散金属氧化物半导体，包括具有上述特征的硅基片。

在本发明提供的硅基片中，在硅基片本体上开设有多个间隔均匀沟槽，且多个沟槽的底面积之和与硅基片本体上多个沟槽所在的面的面积满足以下关系式：S₁/S=0.56；其中，S₁为多个沟槽的底面积之和，S为硅基片上多个沟槽所在的面的面积。在完成LOCOS工艺后，上述多个沟槽将由生成的二氧化硅完全填充满，不会留有空隙，因此，与现有技术相比，采用本发明提供的硅基片，后续采用光阻回刻法对硅基片进行鸟头平坦化时，不会有液态物残留在硅基片中，从而提高了LDMOS的合格率。

附图说明

图1为现有技术中硅基片完成LOCOS工艺后的结构示意图；

图2为图1中H-H方向的剖视图；

图3为图1中横向沟槽和纵向沟槽交界位置局部放大图；

图4为本发明实施例提供的一种硅基片的结构示意图；

图5为图4中G-G方向的剖视图；

图6为本发明实施例提供的另外一种硅基片的结构示意图。