[发明专利]功率半导体器件的背面集电极结构有效
| 申请号： | 201310013013.8 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103077962A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 陈宏;朱阳军;邱颖斌;徐承福;吴凯 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率半导体器件的背面集电极结构，按照本发明提供的技术方案，所述功率半导体器件的背面集电极结构，在N导电类型硅衬底的背面设有P导电类型氮化镓层，在P导电类型氮化镓层的背面设有集电极。本发明在器件的背面制作异质结结构提高注入效率，可以改善器件的导通压降，异质结界面缺陷较多，可以形成复合中心减少载流子寿命，改善关断特性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 背面 集电极 结构 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件的背面集电极结构，其特征是：在N导电类型硅衬底（1）的背面设有P导电类型氮化镓层（2），在P导电类型氮化镓层（2）的背面设有集电极（3）。
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