[发明专利]一种用深槽隔离制造影像传感器的方法及影像传感器结构

摘要

本发明涉及影像传感器制造领域，具体涉及一种用深槽隔离制造影像传感器的方法及影像传感器结构。包括将器件晶圆与逻辑晶圆进行键合；对键合后晶圆中的器件晶圆二氧化硅层进行深通孔局部刻蚀，形成器件晶圆深通孔；进行硅刻蚀直至露出器件晶圆顶层金属和逻辑晶圆顶层金属，形成键合层深通孔和沟槽；对刻蚀出的键合层深通孔和沟槽进行铜淀积，并对器件晶圆表面进行化学机械平坦化处理。通过深通孔局部刻蚀后直接进行硅刻蚀，去掉了现有技术中淀积氧化物层，以及随后进行的沟槽刻蚀步骤，简化了影像传感器的制造流程，从而减少了由于步骤繁杂导致的错误率，减少了工艺流程时间，减少了影像传感器的生产成本，并提高了影像传感器的生产效率。

主权项

一种用深槽隔离制造影像传感器的方法，其特征是：包括以下步骤，步骤一，将器件晶圆与逻辑晶圆进行键合；步骤二，对键合后晶圆中的器件晶圆二氧化硅层进行深通孔局部刻蚀，形成器件晶圆深通孔；步骤三，对深通孔局部刻蚀后的器件晶圆二氧化硅层进行硅刻蚀直至露出器件晶圆顶层金属和逻辑晶圆顶层金属，形成键合层深通孔和沟槽；步骤四，对刻蚀出的键合层深通孔和沟槽进行铜淀积，并对器件晶圆表面进行化学机械平坦化处理。