[发明专利]一种用深槽隔离制造影像传感器的方法及影像传感器结构

权利要求书

1.一种用深槽隔离制造影像传感器的方法，其特征是：包括以下步骤，

步骤一，将器件晶圆与逻辑晶圆进行键合；

步骤二，对键合后晶圆中的器件晶圆二氧化硅层进行深通孔局部刻蚀，形成器件晶圆深通孔；

步骤三，对深通孔局部刻蚀后的器件晶圆二氧化硅层进行硅刻蚀直至露出器件晶圆顶层金属和逻辑晶圆顶层金属，形成键合层深通孔和沟槽；

步骤四，对刻蚀出的键合层深通孔和沟槽进行铜淀积，并对器件晶圆表面进行化学机械平坦化处理。

2.根据权利要求1所述的一种用深槽隔离制造影像传感器的方法，其特征是：所述步骤二中深通孔局部刻蚀所用刻蚀方式为等离子体刻蚀。

3.根据权利要求1所述的一种用深槽隔离制造影像传感器的方法，其特征是：所述步骤三中蚀刻采用的蚀刻方式为等离子体刻蚀。

4.根据权利要求1至3任一所述的一种用深槽隔离制造影像传感器的方法，其特征是：所述步骤三蚀刻的停止层为器件晶圆的顶层金属和逻辑晶圆的顶层金属。

5.根据权利要求1至3任一所述的一种用深槽隔离制造影像传感器的方法，其特征是：所述步骤三完成后在沟槽之中淀积一层阻挡层。

6.一种影像传感器结构,其特征是:包括逻辑晶圆和器件晶圆,所述逻辑晶圆上设有有逻辑晶圆二氧化硅层,所述逻辑晶圆二氧化硅层上覆盖有逻辑晶圆顶层顶层金属,所述逻辑晶圆顶层金属上设有键合氧化物层,所述键和氧化物层上设有器件晶圆顶层金属，所述器件晶圆顶层金属上设有器件晶圆二氧化硅层,所述器件晶圆器件晶圆二氧化硅层上为器件晶圆,所述器件晶圆二氧化硅层上设有沟槽，所述沟槽底部为器件晶圆顶层金属，所述器件晶圆顶层金属上设有键合层深通孔，所述键合层深通孔底部为逻辑晶圆金属层，所述键合层深通孔与沟槽之中布满铜。

7.根据权利要求6所述的一种影像传感器结构，其特征是：所述键合层通孔和沟槽与其中布满的铜之间设有一层阻挡层。

8.根据权利要求6所述的一种影像传感器结构，其特征是：所述逻辑晶圆顶层金属与键和氧化物层之间设有阻挡层。

9.根据权利要求6所述的一种影像传感器结构，其特征是：所述器件晶圆顶层金属与键和氧化物层之间设有阻挡层。

10.根据权利要求6至9任一所述的一种影像传感器结构，其特征是：所述阻挡层为氮化钛阻挡层。