[发明专利]一种解决深沟槽刻蚀工艺中圆片表面糊胶的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310011772.0 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103107080B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 章安娜;李晓明 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种解决深沟槽刻蚀工艺中圆片表面糊胶的刻蚀方法，包括如下步骤a.利用静电吸盘对圆片进行静电吸附，并稳定工艺所需要的气氛；b.进行圆片主工艺子步骤，所述主工艺子步骤的时间小于圆片主工艺要求的时间；c.解除所述静电吸盘对所述圆片的静电吸附，并进行静电释放；d.判断之前进行的所有的所述主工艺子步骤的累积时间是否达到要求，如果判断结果为“是”，则进行步骤e，如果判断结果为“否”，则再次进行步骤a；e.圆片制造结束，进行圆片的传输。该刻蚀方法避免圆片持续与静电吸盘接触，减少了圆片表面静电积聚，从而解决了DSIE工艺中圆片表面糊胶和位置碎片的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 深沟 刻蚀 工艺 中圆片 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种解决深沟槽刻蚀工艺中圆片表面糊胶的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：a.利用静电吸盘对圆片进行静电吸附，并稳定工艺所需要的气氛；b.进行圆片主工艺刻蚀子步骤，所述主工艺刻蚀子步骤的时间小于圆片主工艺要求的时间；c.解除所述静电吸盘对所述圆片的静电吸附，并进行静电释放；d.判断之前进行的所有的所述主工艺刻蚀子步骤的累积时间是否达到预期设定，如果判断结果为“是”，则进行步骤e，如果判断结果为“否”，则再次进行步骤a，从而顺次再进行一次主工艺刻蚀子步骤；e.圆片制造结束，进行圆片的传输。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
