[发明专利]一种解决深沟槽刻蚀工艺中圆片表面糊胶的刻蚀方法有效
申请号: | 201310011772.0 | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN103107080B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 章安娜;李晓明 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/683 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 马晓亚 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 解决 深沟 刻蚀 工艺 中圆片 表面 方法 | ||
1.一种解决深沟槽刻蚀工艺中圆片表面糊胶的刻蚀方法,其特征在于,包括如下步骤:
a.利用静电吸盘对圆片进行静电吸附,并稳定工艺所需要的气氛;
b.进行圆片主工艺子步骤,所述主工艺子步骤的时间小于圆片主工艺要求的时间;
c.解除所述静电吸盘对所述圆片的静电吸附,并进行静电释放;
d.判断之前进行的所有的所述主工艺子步骤的累积时间是否达到预期设定,如果判断结果为“是”,则进行步骤e,如果判断结果为“否”,则再次进行步骤a,从而顺次再进行一次主工艺子步骤;
e.圆片制造结束,进行圆片的传输。
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法,其特征在于:
在所述判断结果为“是”,进行步骤e之前,还有步骤f:
f.将所述圆片与地极接触,进行静电的完全释放。
3.根据权利要求1或2所述的刻蚀方法,其特征在于:
在步骤d中的所述预期设定为圆片主工艺要求的时间。
4.根据权利要求3所述的刻蚀方法,其特征在于:
所述主工艺子步骤的时间小于等于30分钟。
5.根据权利要求3所述的刻蚀方法,其特征在于:
所述静电释放的时间为1-2分钟。
6.根据权利要求3所述的刻蚀方法,其特征在于:
在所述主工艺子步骤的过程中,利用氦气流对所述圆片进行冷却。
7.根据权利要求6所述的刻蚀方法,其特征在于:
所述氦气流是对所述圆片的背部进行冷却。
8.根据权利要求7所述的刻蚀方法,其特征在于:
所述氦气流的气流强度为1.5mbar。
9.根据权利要求1-8中任意一项所述的刻蚀方法,其特征在于:
所述主工艺为相同的工艺或者不同的工艺的组合。
10.根据权利要求9所述的刻蚀方法,其特征在于:
所述主工艺为刻蚀。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司,未经无锡华润上华半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310011772.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种祛斑膏
- 下一篇:腊味腊制品半成品不需要绑绳后晾晒或烘焙的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造