[发明专利]具有不同长度的晶体管栅极阵列及其制作方法

摘要

一种具有不同长度的晶体管栅极阵列及其制作方法，本发明提出采用两套掩膜板进行曝光过程，第一套掩膜板曝光形成的栅极阵列中，各栅极两端在沿垂直长度方向平齐且每个栅极至少覆盖目标阵列中的相应栅极，换言之，第一套掩膜板曝光形成的各栅极长度都相等，降低由于栅极长度不等导致的曝光、刻蚀后的栅极宽度的偏差；然后，采用第二套掩膜板从长度上将该长度均等的栅极制作成目标长度及形状的栅极，由于栅极的长度尺寸一般大于其宽度尺寸，因而，基本不存在曝光、刻蚀后的栅极长度的偏差。如此，由于采用第二套掩膜板图形化时，栅极的宽度已经被第一套掩模板定义下来，因而本方案实现了栅极宽度及长度的精确控制，且不涉及复杂计算，易实现。

主权项

一种具有不同长度的晶体管栅极阵列的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上自下而上具有氧化层、多晶硅及第一光刻胶；采用第一掩膜板对所述第一光刻胶进行曝光，显影后以图形化的第一光刻胶为掩膜对所述多晶硅及氧化层进行刻蚀形成第一栅极阵列，所述第一栅极阵列中的栅极长度均相等；在第一栅极阵列上形成第二光刻胶，采用第二掩膜板对所述第二光刻胶进行曝光，显影后以图形化的第二光刻胶为掩膜对所述第一栅极阵列进行刻蚀形成目标栅极阵列。