[发明专利]具有不同长度的晶体管栅极阵列及其制作方法

权利要求书

1.一种具有不同长度的晶体管栅极阵列的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上自下而上具有氧化层、多晶硅及第一光刻胶；

采用第一掩膜板对所述第一光刻胶进行曝光，显影后以图形化的第一光刻胶为掩膜对所述多晶硅及氧化层进行刻蚀形成第一栅极阵列，所述第一栅极阵列中的栅极长度均相等；

在第一栅极阵列上形成第二光刻胶，采用第二掩膜板对所述第二光刻胶进行曝光，显影后以图形化的第二光刻胶为掩膜对所述第一栅极阵列进行刻蚀形成目标栅极阵列。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶为正性光刻胶，所述第一掩膜板的各遮光图案与目标阵列中各栅极对应，各遮光图案的宽度与目标阵列中各栅极宽度相等，各遮光图案两端在沿垂直长度方向平齐且每个遮光图案至少覆盖目标阵列中的相应栅极；所述第二光刻胶为正性光刻胶，所述第二掩膜板的各透光图案对应第一掩膜板的各遮光图案与目标阵列的各栅极图案之间的差。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶为负性光刻胶，所述第一掩膜板的各透光图案与目标阵列中各栅极对应，各透光图案的宽度与目标阵列中各栅极宽度相等，各透光图案两端在沿垂直长度方向平齐且每个透光图案至少覆盖目标阵列中的相应栅极；所述第二光刻胶为负性光刻胶，所述第二掩膜板的各遮光图案对应第一掩膜板的各透光图案与目标阵列的各栅极图案之间的差。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶为正性光刻胶，所述第一掩膜板的各遮光图案与目标阵列中各栅极对应，各遮光图案的宽度与目标阵列中各栅极宽度相等，各遮光图案两端在沿垂直长度方向平齐且每个遮光图案至少覆盖目标阵列中的相应栅极；所述第二光刻胶为负性光刻胶，所述第二掩膜板的各遮光图案对应第一掩膜板的各遮光图案与目标阵列的各栅极图案之间的差。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶为负性光刻胶，所述第一掩膜板的各透光图案与目标阵列中各栅极对应，各透光图案的宽度与目标阵列中各栅极宽度相等，各透光图案两端在沿垂直长度方向平齐且每个透光图案至少覆盖目标阵列中的相应栅极；所述第二光刻胶为正性光刻胶，所述第二掩膜板的各透光图案对应第一掩膜板的各透光图案与目标阵列的各栅极图案之间的差。

6.根据权利要求2或4所述的制作方法，其特征在于，目标阵列中具有最长栅极，该目标阵列中的其它栅极的两端在沿垂直栅极长度方向不超过该最长栅极的两端，所述第一掩膜板的各遮光图案的长度均为目标阵列中最长栅极的长度。

7.根据权利要求3或5所述的制作方法，其特征在于，目标阵列中具有最长栅极，该目标阵列中的其它栅极的两端在沿垂直栅极长度方向不超过该最长栅极的两端，所述第一掩膜板的各透光图案的长度均为目标阵列中最长栅极的长度。

8.根据权利要求2或4所述的制作方法，其特征在于，目标阵列中各栅极的宽度相等，第一掩膜板的各遮光图案的宽度相等。

9.根据权利要求3或5所述的制作方法，其特征在于，目标阵列中各栅极的宽度相等，第一掩膜板的各透光图案的宽度相等。

10.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，目标栅极阵列具有多个子阵列，所述子阵列的栅极长度相等，不同子阵列的栅极长度不等，所述第一掩膜板的各遮光图案两端在沿垂直长度方向平齐，每个遮光图案至少覆盖目标阵列中的相应栅极，一个子阵列对应一个第二掩膜板的透光图案。

11.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，目标栅极阵列具有多个子阵列，所述子阵列的栅极长度相等，不同子阵列的栅极长度不等，所述第一掩膜板的各遮光图案两端在沿垂直长度方向平齐，每个遮光图案至少覆盖目标阵列中的相应栅极，一个子阵列对应一个第二掩膜板的遮光图案。

12.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，目标栅极阵列具有多个子阵列，所述子阵列的栅极长度相等，不同子阵列的栅极长度不等，所述第一掩膜板的各透光图案两端在沿垂直长度方向平齐，每个透光图案至少覆盖目标阵列中的相应栅极，一个子阵列对应一个第二掩膜板的遮光图案。