[发明专利]碳化硅半导体器件和制造碳化硅半导体器件的方法

摘要

一种碳化硅半导体器件和制造碳化硅半导体器件的方法。碳化硅层（10）的第一区（11）构成第一表面并且具有第一导电类型。第二区（12）设置在第一区（11）上并且具有第二导电类型。第三区（13）设置在第二区（12）上并且具有第一导电类型。第四区（14）设置在第一区（11）中，所处的位置远离第一表面（F1）和第二区（12）的每个，并且具有第二导电类型。栅绝缘膜（21）设置在第二区（12）上，以便连接第一区（11）和第三区（13）。栅电极（30）设置在栅绝缘膜（21）上。第一电极（31）设置在第一区（11）上。第二电极（32）设置在第三区（13）上。

主权项

一种碳化硅半导体器件（100、100D），包括：碳化硅层（10），其具有在厚度方向上彼此相反的第一表面（F1）和第二表面（F2），所述碳化硅层包括第一区（11）、第二区（12）、第三区（13）和第四区（14），其中所述第一区（11）构成所述第一表面并且具有第一导电类型，所述第二区（12）设置在所述第一区上从而通过所述第一区与所述第一表面隔开，并且具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，所述第三区（13）设置在所述第二区上，通过所述第二区与所述第一区隔离，并且具有所述第一导电类型，所述第四区（14）设置在所述第一区中，所处的位置远离所述第一表面和所述第二区的每个，并且具有所述第二导电类型，以及栅绝缘膜（21），其设置在所述第二区上，以连接所述第一区和所述第三区，栅电极（30），其设置在所述栅绝缘膜上，第一电极（31），其设置在所述第一区上，以及第二电极（32），其设置在所述第三区上。