[发明专利]一种消除导轨面形对套刻偏差影响的方法有效
| 申请号： | 201310009865.X | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103926798A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李煜芝 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种消除导轨面形对套刻偏差影响的方法，包括：步骤一、上载带有标记的硅片，设置硅片中心与工作台中心重合，且所述硅片相对于所述工件台没有旋转；步骤二、设置工件台的位置设定值，使所述工件台沿第一方向运动，测量所述标记的位置获得所述工件台的实际旋转值；步骤三、将所述实际旋转值线性拟合后获得导轨面形对套刻影响补偿值，在曝光时根据所述补偿值计算曝光场的实际旋转值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 导轨 偏差 影响 方法 | ||
【主权项】：
一种消除导轨面形对套刻偏差影响的方法，其特征在于，包括：步骤一、上载带有标记的硅片，使硅片中心与工作台中心重合，且所述硅片相对于所述工件台没有旋转；步骤二、设置工件台的位置设定值，使所述工件台沿第一方向运动，获得所述标记的位置，计算所述工件台的实际旋转值；步骤三、将所述实际旋转值线性拟合后获得导轨面形对套刻影响补偿值，在曝光时根据所述补偿值计算曝光场的实际旋转值。
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