[发明专利]一种消除导轨面形对套刻偏差影响的方法有效
| 申请号: | 201310009865.X | 申请日: | 2013-01-11 | 
| 公开(公告)号: | CN103926798A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 | 
| 发明(设计)人: | 李煜芝 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 | 
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 | 
| 代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光辉 | 
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 消除 导轨 偏差 影响 方法 | ||
1.一种消除导轨面形对套刻偏差影响的方法,其特征在于,包括:
步骤一、上载带有标记的硅片,使硅片中心与工作台中心重合,且所述硅片相对于所述工件台没有旋转;
步骤二、设置工件台的位置设定值,使所述工件台沿第一方向运动,获得所述标记的位置,计算所述工件台的实际旋转值;
步骤三、将所述实际旋转值线性拟合后获得导轨面形对套刻影响补偿值,在曝光时根据所述补偿值计算曝光场的实际旋转值。
2.如权利要求1所述的消除导轨面形对套刻偏差影响的方法,其特征在于,所述步骤一中利用一对准系统执行硅片对准从而使所述硅片中心与工作台中心重合,且使所述硅片相对于所述工件台没有旋转。
3.如权利要求1所述的消除导轨面形对套刻偏差影响的方法,其特征在于,所述步骤二中利用一对准系统执行对准以获得所述标记的位置。
4.如权利要求2或3所述的消除导轨面形对套刻偏差影响的方法,其特征在于,所述对准系统为同轴对准系统或离轴对准系统。
5.如权利要求1所述的消除导轨面形对套刻偏差影响的方法,其特征在于,所述工件台沿第一方向运动中,设定工件台从-125mm运动到125mm,且步进间距1mm。
6.如权利要求1所述的消除导轨面形对套刻偏差影响的方法,其特征在于,所述步骤三中将所述实际旋转值拟合后得到导轨面形对套刻影响系数,根据所述影响系数计算获得所述补偿值。
7.如权利要求1所述的消除导轨面形对套刻偏差影响的方法,其特征在于,所述第一方向为X向或者Y向,所述X向与Y向在水平面内且相互垂直。
8.如权利要求6所述的消除导轨面形对套刻偏差影响的方法,其特征在于,所述第一方向为X向或者Y向,所述X向与Y向在水平面内且相互垂直,X向导轨面形对套刻影响系数KX2Rz和Y向导轨面形对套刻影响系数KY2Rz分别由以下公式获得: ,其中b1、b2为常数项,Rzi和分别为工件台沿X向运动时实际旋转值和X向位置设定值,Rzj和分别为工件台沿Y向运动时实际旋转值和Y向位置设定值。
9.如权利要求8所述的消除导轨面形对套刻偏差影响的方法,其特征在于,所述补偿值由以下公式获得:,其中,Rzxcor,X_set是X向导轨面形对套刻影响补偿值,Rzycor,Y_set是Y向导轨面形对套刻影响补偿值。
10. 如权利要求9所述的消除导轨面形对套刻偏差影响的方法,其特征在于,所述曝光场的实际旋转值Rz_true为:,其中Rz_set为曝光时工件台旋转的位置设定值。
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