[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310007187.3 | 申请日： | 2013-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN103915344B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;隋运奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中所述半导体器件的形成方法包括提供基底，所述基底表面具有介质层，所述介质层表面具有半导体层，所述半导体层内具有暴露出介质层表面的第一开口；在所述第一开口的侧壁表面形成应力层；在形成应力层之后，刻蚀位于第一开口两侧的部分半导体层直至暴露出介质层，在所述第一开口两侧分别形成与所述应力层相接触的鳍部；在所述鳍部两侧的介质层表面分别形成背栅结构和主栅结构，所述背栅结构与所述应力层相接触，所述主栅结构与所述鳍部的侧壁相接触，且所述主栅结构与应力层相对。所形成的半导体器件性能改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面具有介质层，所述介质层表面具有半导体层；在半导体层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有暴露出部分半导体层表面的第二开口；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体层直至暴露出介质层为止，在所述半导体层内形成暴露出介质层表面的第一开口；在所述第一开口的侧壁表面形成应力层；在形成应力层之后，扩大所述第二开口的尺寸，并暴露出所述第二开口底部的半导体层表面；在扩大所述第二开口的尺寸之后，在所述第一开口和第二开口内形成第二掩膜层，所述第二掩膜层的材料与第一掩膜层的材料不同；去除所述第一掩膜层，并以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀位于第一开口两侧的部分半导体层直至暴露出介质层，在所述第一开口两侧分别形成与所述应力层相接触的鳍部，并去除所述第二掩膜层；在所述鳍部两侧的介质层表面分别形成背栅结构和主栅结构，所述背栅结构与所述应力层相接触，所述主栅结构与所述鳍部的侧壁相接触，且所述主栅结构与应力层相对。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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