[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：半导体衬底表面具有第一介质层，第一介质层表面具有本征层，本征层内具有若干相互平行、且暴露出第一介质层的沟槽；在沟槽内形成第二介质层，第二介质层的表面等于或高于本征层表面；对位于相邻第二介质层之间的本征层进行离子注入，在本征层内形成掺杂层，所注入的离子包括与所述本征层材料对应的半导体离子，离子注入的方向朝本征层与第二介质层相接触的两侧侧壁倾斜，位于相邻第二介质层之间、且由掺杂层所覆盖的剩余的本征层形成纳米管，纳米管的剖面呈三角形，三角形的顶角向掺杂层表面延伸；去除掺杂层；在去除掺杂层之后，去除第二介质层。所述半导体器件的形成工艺简单，所形成的半导体器件的尺寸精确。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有第一介质层，所述第一介质层表面具有本征层，所述本征层内具有若干相互平行、且暴露出第一介质层的沟槽；在所述沟槽内形成第二介质层，所述第二介质层的表面等于或高于所述本征层表面；对位于相邻第二介质层之间的本征层进行离子注入，在所述本征层内形成掺杂层，所注入的离子包括与所述本征层材料对应的半导体离子，所述离子注入的方向朝所述本征层与第二介质层相接触的两侧侧壁倾斜，位于相邻第二介质层之间、且由所述掺杂层所覆盖的剩余的本征层形成纳米管，所述纳米管的剖面呈三角形，所述三角形的顶角向所述掺杂层表面延伸；去除所述掺杂层；在去除所述掺杂层之后，去除所述第二介质层。