[发明专利]用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路有效
| 申请号： | 201310002590.7 | 申请日： | 2013-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103050364A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘小波;梁洁;罗伟义;丁冬平 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，包括加热元件，设于夹持所述基片的夹持装置内，用于对所述基片加热；交流电源，用于向所述加热元件提供电力；以及隔离变压器，所述加热元件通过所述隔离变压器连接至所述交流电源。本发明能够在对等离子体环境下的基片加热的同时隔离射频反馈，有效防止射频信号对交流电源的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 加热 等离子体 处理 室内 温度 电路 | ||
【主权项】：
一种用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，包括：加热元件，设于夹持所述基片的夹持装置内，用于对所述基片加热；交流电源，用于向所述加热元件提供电力；以及隔离变压器，所述加热元件通过所述隔离变压器连接至所述交流电源。
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