[发明专利]用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路有效
| 申请号： | 201310002590.7 | 申请日： | 2013-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103050364A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘小波;梁洁;罗伟义;丁冬平 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 加热 等离子体 处理 室内 温度 电路 | ||
1.一种用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，包括：
加热元件，设于夹持所述基片的夹持装置内，用于对所述基片加热；
交流电源，用于向所述加热元件提供电力；以及
隔离变压器，所述加热元件通过所述隔离变压器连接至所述交流电源。
2.根据权利要求1所述的用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，所述隔离变压器包括相互耦合的初级线圈和次级线圈，所述初级线圈连接所述交流电源，所述次级线圈连接所述加热元件。
3.根据权利要求2所述的用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，所述加热元件为电阻丝。
4.根据权利要求3所述的用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，所述等离子体处理腔室还包括埋设于所述夹持装置的电极，所述电极连接用于产生等离子体的射频功率源。
5.根据权利要求4所述的用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，所述射频功率源输出的射频信号在所述加热元件两端为共模。
6.根据权利要求1所述的用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，所述加热元件为多个。
7.根据权利要求6所述的用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，所述次级线圈包括多个抽头，分别对应连接所述多个加热元件。
8.根据权利要求6所述的用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，所述隔离变压器为多个，分别对应连接所述多个加热元件。
9.根据权利要求1所述的用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，所述夹持装置为机械夹盘，静电吸盘或真空吸盘。
10.根据权利要求1所述的用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路，其特征在于，所述隔离变压器设于所述等离子体处理腔室外部且邻近于所述夹持装置。
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