[发明专利]一种非对称峰值轻掺杂漏结构的石墨烯纳米条带场效应管无效
| 申请号： | 201310001214.6 | 申请日： | 2013-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN103077968A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王伟;杨恒新;蒋嗣韬;陆峰 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非对称峰值轻掺杂漏结构的石墨烯纳米条带场效应管。基于量子力学非平衡Green函数理论框架，在开放边界条件下，通过自洽求解三维泊松（3D-Poisson）和薛定谔（Schrödinger）方程，构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型，并利用该模型分析计算非对称HALO-LDD掺杂策略对石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)电学特性的影响。通过与采用其他掺杂策略GNRFET的输出特性、转移特性、开关电流比、亚阈值摆幅、阈值电压漂移等电学特性对比分析，发现这种掺杂结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移，即表明采用非对称HALO-LDD掺杂策略的GNRFET具有更好的栅控能力，能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 峰值 掺杂 结构 石墨 纳米 条带 场效应 | ||
【主权项】：
一种非对称峰值轻掺杂漏结构的石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于该场效应管是一种双栅（1）结构，其中用扶椅型的石墨烯条带A‑GNR作为导电沟道，沟道与两个栅电极间用同种电介质材料填充，且两个栅电极以沟道为中心形成对称结构；器件的源和漏扩展区均存在一个N型重掺杂区即N+区（3），且在石墨烯纳米条带（5）沟道靠近源区附近有一个峰值HALO掺杂结构（4），而在器件漏区靠近沟道存在一个单独的轻掺杂漏LDD掺杂结构（6），最终组成非对称峰值‑轻掺杂漏掺杂结构；即：源区进行单HALO掺杂，漏区进行单LDD掺杂。
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