[发明专利]一种非对称峰值轻掺杂漏结构的石墨烯纳米条带场效应管

权利要求书

1.一种非对称峰值轻掺杂漏结构的石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于该场效应管是一种双栅（1）结构，其中用扶椅型的石墨烯条带A-GNR作为导电沟道，沟道与两个栅电极间用同种电介质材料填充，且两个栅电极以沟道为中心形成对称结构；器件的源和漏扩展区均存在一个N型重掺杂区即N⁺区（3），且在石墨烯纳米条带（5）沟道靠近源区附近有一个峰值HALO掺杂结构（4），而在器件漏区靠近沟道存在一个单独的轻掺杂漏LDD掺杂结构（6），最终组成非对称峰值-轻掺杂漏掺杂结构；即：源区进行单HALO掺杂，漏区进行单LDD掺杂。

2.根据权利要求1所述的一种非对称峰值轻掺杂漏结构的石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于所述的双栅结构为两个关于器件沟道对称的栅（1），即顶栅和底栅，其采用功函数为4.1的锰金属作为栅极材料，器件沟道与两栅电极间用栅电介质填充，以形成栅氧化层（2）；在器件宽度方向即Y方向，沟道与器件边界的侧域S也填充同类型的栅电介质来进行绝缘。

3.根据权利要求1所述的一种非对称峰值轻掺杂漏结构的石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于所述的石墨烯纳米条带（5）采用本征扶椅型，作为器件的导电沟道，其与器件的两个栅电极平行且等长。

4.根据权利要求1所述的一种非对称峰值轻掺杂漏结构的石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于所述的器件的源扩展区，长度为L_S，采用N型重掺杂，以形成N⁺区（3）；而漏扩展区，长度为L_D，包含N⁺区（3）和轻掺杂漏LDD掺杂结构（6）两个部分，其中N⁺区（3）与源区一样，表示一个N型重掺杂区，轻掺杂漏LDD掺杂结构（6）表示一个轻掺杂区；在本征石墨烯纳米条带沟道附近靠近器件源极处还有一个峰值HALO掺杂结构（4），这样，便组成了一个非对称HALO-LDD掺杂结构的石墨烯纳米条带场效应管。