[其他]用于硅晶体制备的石墨坩埚有效
| 申请号： | 201290000953.2 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN204174306U | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | A.J.弗兰西斯;R.A.雷诺三世;R.C.埃罗伊特;G.D.希弗斯;P.苏布拉马尼安;O.克鲁斯 | 申请（专利权）人： | 格拉弗技术国际控股有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 董均华;谭祐祥 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于硅晶体制备的石墨坩埚。所述坩埚包括底壁，该底壁包括底壁内部的外层表面。多个侧壁从底壁向上延伸，每个侧壁包括侧壁内部的外层表面。接触点设置在侧壁上以防止坩埚在铸锭移除期间向上移动。侧壁具有垂直于凝固方向的热膨胀系数，该系数小于在坩埚中加工的硅的热膨胀系数的95%。另外，侧壁和底壁在室温下具有从约90至约160W/m·K的贯通面热导率。所述方法涉及具有顶部表面和在后加工步骤中将被移除的切割区域的硅铸锭，所述方法包括：将一个或多个紧固件在所述切割区域中的位置处附接到所述顶部表面；向上牵拉所述一个或多个紧固件，从而从所述石墨坩埚移除所述硅铸锭。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体 制备 石墨 坩埚 | ||
【主权项】：
一种用于加工硅的石墨坩埚，所述坩埚包括：底壁，其包括底壁内部的外层表面；多个侧壁，其从所述底壁向上延伸，每个所述侧壁包括侧壁内部的外层表面，所述侧壁所具有的垂直于凝固方向的热膨胀系数小于在其中加工的所述硅的热膨胀系数的95%，并且在从1×10‑6/℃至3×10‑6/℃的范围内；其中，所述侧壁和所述底壁在室温下包括从90至160W/mK的贯通面热导率，每个所述内部的外层表面具有保护性涂层，并且；其中，所述侧壁中的至少一个包括接触点，所述接触点被构造成接合联接装置以在移除硅铸锭期间防止所述坩埚移动。
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