[其他]用于硅晶体制备的石墨坩埚有效
| 申请号： | 201290000953.2 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN204174306U | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | A.J.弗兰西斯;R.A.雷诺三世;R.C.埃罗伊特;G.D.希弗斯;P.苏布拉马尼安;O.克鲁斯 | 申请（专利权）人： | 格拉弗技术国际控股有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 董均华;谭祐祥 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 晶体 制备 石墨 坩埚 | ||
1.一种用于加工硅的石墨坩埚，所述坩埚包括：
底壁，其包括底壁内部的外层表面；
多个侧壁，其从所述底壁向上延伸，每个所述侧壁包括侧壁内部的外层表面，所述侧壁所具有的垂直于凝固方向的热膨胀系数小于在其中加工的所述硅的热膨胀系数的95%，并且在从1×10-6/℃至3×10-6/℃的范围内；其中，所述侧壁和所述底壁在室温下包括从90至160W/mK的贯通面热导率，每个所述内部的外层表面具有保护性涂层，并且；
其中，所述侧壁中的至少一个包括接触点，所述接触点被构造成接合联接装置以在移除硅铸锭期间防止所述坩埚移动。
2.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其中，所述保护性涂层呈现出小于0.01达西的透气率。
3.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其中，所述接触点包括凹口部分。
4.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其中，所述接触点包括突起。
5.根据权利要求1所述的石墨坩埚，所述侧壁中的至少一个包括弯曲的外部的外层表面，以便在所述坩埚从竖直构型倾斜至侧放构型时允许在所述侧壁和支撑表面之间的连续接触。
6.根据权利要求5所述的石墨坩埚，其中，所述弯曲的外部的外层表面在弯曲的外部的外层表面和所述底壁之间的分界面处基本上平行于底壁。
7.根据权利要求5所述的石墨坩埚，其中，所述弯曲的外部的外层表面基本上垂直于所述坩埚的顶部表面。
8.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其中，多个所述侧壁包括弯曲的外部的外层表面。
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