[发明专利]半导体装置

摘要

本发明的半导体装置100包括具有n+型半导体层112和n‑型半导体层114的半导体基板110；被选择性地形成在n‑型半导体层114的表面上的p+型扩散区域120；被形成在n‑型半导体层114及p+型扩散区域120的表面上,在与n‑型半导体层114之间形成肖特基接合,且在与p+型扩散区域120之间形成欧姆接合的势垒金属层130,而作为重金属的铂被扩散在半导体基板110中使得浓度在n‑型半导体层114的表面达到最高。根据本发明的半导体装置100，在维持高反向击穿电压VR及低漏电流IR的状态下，能够降低正向压降VF，或缩短反向恢复时间trr。另外，根据本发明的半导体装置100，能够使软恢复特性变得出色。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括:半导体基板，具有第一导电型第一半导体层，和含有浓度比所述第一半导体层低的第一导电型杂质的第一导电型第二半导体层，且具有由所述第一半导体层及所述第二半导体层以该顺序层积的构造；第二导电型高浓度扩散区域，被选择性地形成在所述第二半导体层的表面上，含有导电类型与第一导电型杂质相反的第二导电型杂质，其浓度比所述第二半导体层所含有的第一导电型杂质的浓度高；以及势垒金属层，被形成在所述第二半导体层及所述高浓度扩散区域的表面上,在与所述第二半导体层之间形成肖特基接合,且在与所述高浓度扩散区域之间形成欧姆接合,在所述半导体基板中，在所述第二半导体层的表面形成掩膜的同时通过以在所述第一半导体层的表面形成重金属扩散源层的状态对所述半导体基板施行热处理，在所述第二半导体层内重金属被扩散使得浓度在所述第二半导体层的表面达到最高，其中，在将所述第二半导体层的表面的深度位置作为D1，将所述高浓度扩散区域的最深部分的深度位置作为D2，将比所述深度位置D2更深且比所述第一半导体层与所述第二半导体层的边界面更浅的深度位置作为D3，将所述第一半导体层与所述第二半导体层的边界面的深度位置作为D4，将所述第一半导体层的表面的深度位置作为D5时，所述深度位置D4的所述重金属的浓度高于所述深度位置D3的所述重金属的浓度，所述深度位置D2的所述重金属的浓度高于所述深度位置D3的所述重金属的浓度。