[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括:

半导体基板，具有第一导电型第一半导体层，和含有浓度比所述第一半导体层低的第一导电型杂质的第一导电型第二半导体层，且具有由所述第一半导体层及所述第二半导体层以该顺序层积的构造；

第二导电型高浓度扩散区域，被选择性地形成在所述第二半导体层的表面上，含有导电类型与第一导电型杂质相反的第二导电型杂质，其浓度比所述第二半导体层所含有的第一导电型杂质的浓度高；以及

势垒金属层，被形成在所述第二半导体层及所述高浓度扩散区域的表面上,在与所述第二半导体层之间形成肖特基接合,且在与所述高浓度扩散区域之间形成欧姆接合,

在所述半导体基板中，重金属被扩散使得浓度在所述第二半导体层的表面达到最高。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在将所述第二半导体层的表面的深度位置作为D1，

将所述高浓度扩散区域的最深部分的深度位置作为D2，

将比所述深度位置D2更深且比所述第一半导体层与所述第二半导体层的边界面更浅的深度位置作为D3，

将所述第一半导体层与所述第二半导体层的边界面的深度位置作为D4，

将所述第一半导体层的表面的深度位置作为D5时，

所述深度位置D4的所述重金属的浓度高于所述深度位置D3的所述重金属的浓度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述深度位置D3为能够对切断电路时的尾电流进行控制的深度位置。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述深度位置D2的所述重金属的浓度高于所述深度位置D3的所述重金属的浓度。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述深度位置D1的所述重金属的浓度高于所述深度位置D5的所述重金属的浓度。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述重金属从所述第一半导体层的表面侧起被扩散。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第二半导体层的表面的所述重金属的浓度高于所述高浓度扩散区域的表面的所述重金属的浓度。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述高浓度扩散区域的表面的所述重金属的浓度高于所述第二半导体层的表面的所述重金属的浓度。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述重金属为铂。