[发明专利]太阳能电池

摘要

本发明涉及一种太阳能电池，包括：半导体晶圆(1)；发射极，由至少一个发射极区域(20)形成，至少一个发射极区域(20)包括至少第一导电类型的第一层(3)和允许载流子提取或注入的第一接触层(4)；背接触，包括至少第二导电类型的第二层(6)和允许载流子提取或注入的第二接触层(4)，第二导电类型与第一导电类型相反；电接触(8、9)，被分别连接到发射极区域(20)和背接触，并且被设计为从太阳能电池中输出电流。根据本发明，发射极的面积占所述晶圆(1)的设置有发射极区域(20)的一侧的面积的0.5％至15％，晶圆(1)的该侧的面积的剩余部分覆盖有包括至少第一钝化层(12、16)和至少一个第一可选附加层在内的第一钝化区域(40)，所述至少一个第一可选附加层使得第一钝化层不允许载流子提取或注入，第一钝化区域未被所述发射极区域(20)的所述第一导电类型的第一层(3)完全覆盖。

主权项

一种太阳能电池，包括：半导体晶圆(1)；发射极，由至少一个发射极区域(20)形成，所述至少一个发射极区域(20)包括至少第一导电类型的第一层(3)和允许载流子提取或注入的第一接触层(4)；背接触，包括至少第二导电类型的第二层(6)和允许载流子提取或注入的第二接触层(7)，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；电接触(8、9)，被分别连接到所述发射极区域(20)和所述背接触，并且被设计为从所述太阳能电池中输出电流，其特征在于，所述发射极的面积占所述晶圆(1)的设置有所述发射极区域(20)的一侧的面积的1％至10％，所述晶圆(1)的所述侧的面积的剩余部分覆盖有包括至少第一钝化层(12、16)和至少一个第一可选附加层(13、17)在内的第一钝化区域(40)，所述至少一个第一可选附加层(13、17)使得所述第一钝化层(12、16)不允许载流子提取或注入，所述第一钝化区域(40)未被所述发射极区域(20)的所述第一导电类型的第一层(3)完全覆盖。