[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

半导体晶圆(1)；

发射极，由至少一个发射极区域(20)形成，所述至少一个发射极区域(20)包括至少第一导电类型的第一层(3)和允许载流子提取或注入的第一接触层(4)；

背接触，包括至少第二导电类型的第二层(6)和允许载流子提取或注入的第二接触层(7)，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

电接触(8、9)，被分别连接到所述发射极区域(20)和所述背接触，并且被设计为从所述太阳能电池中输出电流，

其特征在于，所述发射极的面积占所述晶圆(1)的设置有所述发射极区域(20)的一侧的面积的0.5％至15％，较优地占1％至10％并且更优地占2％至5％，所述晶圆(1)的所述侧的面积的剩余部分覆盖有包括至少第一钝化层(12、16)和至少一个第一可选附加层(13、17)在内的第一钝化区域(40)，所述至少一个第一可选附加层(13、17)使得所述第一钝化层(12、16)不允许载流子提取或注入，所述第一钝化区域(40)未被所述发射极区域(20)的所述第一导电类型的第一层(3)完全覆盖。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极被设置在所述太阳能电池的正面上。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述背接触由至少一个背接触区域(30)形成，所述至少一个背接触区域(30)包括至少所述第二导电类型的第二层(6)以及允许载流子提取或注入的第二接触层(7)，并且所述背接触的面积占所述晶圆(1)的背面的面积的0.5％至15％、较优地占1％至10％且更优地占2％至5％，所述晶圆的所述背面的面积的剩余部分覆盖有第二钝化区域(50)，所述第二钝化区域(50)包括至少第二钝化层(14)和至少一个第二可选附加层(15)，所述至少一个第二可选附加层(15)使得所述第二钝化层(14)不允许载流子提取或注入，所述第二钝化区域(50)未被所述背接触区域(30)的所述第二导电类型的第二层(6)完全覆盖。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极被设置在所述太阳能电池的背面上，其特征在于，所述背接触由至少一个背接触区域(30)形成，所述至少一个背接触区域(30)包括至少所述第二导电类型的第二层(6)以及允许载流子提取或注入的第二接触层(7)，并且所述发射极的面积和所述背接触的面积占所述晶圆(1)的背面的面积的0.5％至15％、较优地占1％至10％且更优地占2％至5％，所述晶圆的所述背面的面积的剩余部分覆盖有第三钝化区域(60)，所述第三钝化区域(60)包括至少第三钝化层(16)和至少一个第三可选附加层(17)，所述至少一个第三可选附加层(17)使得所述第三钝化层(16)不允许载流子提取或注入，所述第三钝化区域(50)未被所述发射极区域(20)的所述第一导电类型的第一层(3)或所述背接触区域(30)的所述第二导电类型的第二层(6)完全覆盖。

5.根据权利要求3和4中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述背接触区域(30)彼此分离。

6.根据权利要求3和4中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述背接触区域(30)全部彼此连接。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，每个背接触区域(30)由面积至少为0.09mm²的连续表面形成。

8.根据权利要求3至7中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述背接触区域(30)从所述太阳能电池的内部到外部包括本征层(5)、所述第二导电类型的第二层(6)、以及所述允许载流子提取或注入的第二接触层(7)。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二接触层(7)选自：透明导电氧化物层、金属层以及两者的组合。

10.根据权利要求3至9中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池的正面包括正面钝化表面(10)。

11.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极区域(20)彼此分离。

12.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极区域(20)全部彼此连接。