[发明专利]氧化物超导薄膜及其制造方法无效
申请号: | 201280073573.6 | 申请日: | 2012-05-31 |
公开(公告)号: | CN104380395A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 永石龙起;本田元气;山口岩;真部高明;日方威;松井浩明;近藤和吉;山崎裕文;熊谷俊弥 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | H01B12/06 | 分类号: | H01B12/06 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陈海涛;穆德骏 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供氧化物超导薄膜(2),其中充当磁通钉的纳米粒子(3)分散在所述薄膜中。本发明提供氧化物超导薄膜(2),其中在所述氧化物超导薄膜中的所述纳米粒子(3)的分散密度为1020个粒子/m3~1024个粒子/m3。本发明提供氧化物超导薄膜(2),其中所述纳米粒子(3)的粒径为5nm~100nm。本发明提供制造氧化物超导薄膜的方法,其中通过将充当磁通钉的纳米粒子(3)溶解在溶剂中而获得的溶液以预定量加到通过将有机金属化合物溶解在溶剂中而获得的溶液中以制备用于氧化物超导薄膜的原料溶液,并且使用所述原料溶液通过涂布-热解方法制造所述氧化物超导薄膜(2)。本发明提供制造氧化物超导薄膜的方法,其中将分散剂加到通过将所述纳米粒子(3)溶解在溶剂中获得的溶液中。 | ||
搜索关键词: | 氧化物 超导 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种氧化物超导薄膜(2),其特征在于充当磁通钉的纳米粒子(3)分散在所述膜中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社,未经住友电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280073573.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电磁驱动装置
- 下一篇:非易失性半导体存储装置