[发明专利]用于制造高纯硅的方法、通过该方法得到的高纯硅、以及用于制造高纯硅的硅原料有效
| 申请号： | 201280073015.X | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN104271506A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 德丸慎司;日吉正孝;近藤次郎;堂野前等;岸田丰;中泽滋;尾上浩三 | 申请（专利权）人： | 菲罗索拉硅太阳能公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C01B33/02;C01B33/021 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 贺卫国 |
| 地址： | 西班牙*** | 国省代码： | 西班牙;ES |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供：一种通过熔融硅的单向凝固制造高纯硅的方法，所述方法能够廉价地并且工业上容易地制造高纯硅，所述高纯硅具有低氧浓度和低碳浓度并且适用于如制造太阳能电池的用途；通过这种方法得到的高纯硅；以及用于制造高纯硅的硅原料。一种当通过使熔融硅原料在铸造容器中单向凝固来制造高纯硅时使用含有100至1000ppmw的碳和0.5至2000ppmw的锗作为原料制造高纯硅的方法，通过这种方法得到的高纯硅，以及用于制造高纯硅的硅原料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 高纯 方法 通过 得到 以及 原料 | ||
【主权项】：
一种用于制造高纯硅的方法，其特征在于，所述方法是通过原料熔融硅在成型容器中的单向凝固制造高纯硅，并且使用具有100～1000ppmw的碳浓度和0.5～2000ppmw的锗浓度的熔融硅作为所述原料的高纯硅制造方法。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于菲罗索拉硅太阳能公司，未经菲罗索拉硅太阳能公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280073015.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种N型多晶硅太阳能电池
- 下一篇：M30甲醇汽油添加剂
