[发明专利]防止电荷丢失的存储器单元

摘要

一种存储器单元包括基板、第一电介质层、浮置栅极、第二电介质层以及控制栅极。基板包括位于漏极区与源极区之间的沟道区。第一电介质层位于沟道区上面且浮置栅极通过第一电介质层而被电容耦合到沟道区。第二电介质层位于浮置栅极上面且控制栅极通过第二电介质层而被电容耦合到浮置栅极。电介质氮化物层位于浮置栅极与第二电介质层之间以防止从浮置栅极到第二电介质层的电荷丢失。

主权项

一种存储器单元，包括：基板，包括位于漏极区与源极区之间的沟道区；第一电介质层，位于所述沟道区上面；浮置栅极，通过所述第一电介质层而被电容耦合到所述沟道区；第二电介质层，位于所述浮置栅极上面；以及控制栅极，通过所述第二电介质层而被电容耦合到所述浮置栅极，其中，电介质氮化物层位于所述浮置栅极与所述第二电介质层之间，其中，所述浮置栅极包括位于所述第一电介质层上的多晶硅层和连接到所述多晶硅层的金属层，并且所述电介质氮化物层位于所述金属层与所述第二电介质层之间，其中，所述金属层包括铝铜硅且所述第二电介质层包括TEOS。