[发明专利]防止电荷丢失的存储器单元

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

基板，包括位于漏极区与源极区之间的沟道区；

第一电介质层，位于所述沟道区上面；

浮置栅极，通过所述第一电介质层而被电容耦合到所述沟道区；

第二电介质层，位于所述浮置栅极上面；以及

控制栅极，通过所述第二电介质层而被电容耦合到所述浮置栅极，其中，电介质氮化物层位于所述浮置栅极与所述第二电介质层之间，

其中，所述浮置栅极包括位于所述第一电介质层上的多晶硅层和连接到所述多晶硅层的金属层，并且所述电介质氮化物层位于所述金属层与所述第二电介质层之间，

其中，所述金属层包括铝铜硅且所述第二电介质层包括TEOS。

2.如权利要求1所述的存储器单元，包括：

第三电介质层，位于所述多晶硅层与所述金属层之间，其中，所述第三电介质层包括未掺杂硅玻璃层和硼磷硅玻璃层。

3.如权利要求1所述的存储器单元，其中，所述控制栅极包括铝铜层。

4.如权利要求1所述的存储器单元，包括：

第三电介质层，位于所述控制栅极上面，其中，所述第三电介质层包括氮化硅和碳化硅以保护所述存储器单元免于退化并提供到聚合物层的粘附。

5.一种制造存储器单元的方法，包括：

提供基板，所述基板包括位于漏极区与源极区之间的沟道区；

在所述沟道区上面设置第一电介质层；

在所述第一电介质层上面设置浮置栅极以通过所述第一电介质层将所述浮置栅极电容耦合到所述沟道区；

在所述浮置栅极上面设置电介质氮化物层；

在所述电介质氮化物层上面设置第二电介质层；以及

在所述第二电介质层上面设置控制栅极以通过所述第二电介质层和所述电介质氮化物层将所述控制栅极电容耦合到所述浮置栅极，

其中，设置浮置栅极包括：

在所述第一电介质层上面设置多晶硅层；以及

将金属层连接到所述多晶硅层，其中，设置电介质氮化物层包括在所述金属层上面和在所述金属层与所述第二电介质层之间设置所述电介质氮化物层，

其中，所述第二电介质层包括TEOS，且设置电介质氮化物层包括在所述金属层上面和在所述金属层与所述TEOS之间设置所述电介质氮化物层。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述控制栅极包括金属层，且所述方法包括：

在所述金属层上面设置第三电介质层，其中，所述第三电介质层包括氮化硅和碳化硅以保护所述存储器单元免于退化并提供到聚合物层的粘附。