[发明专利]混杂MOS光调制器有效
| 申请号： | 201280072086.8 | 申请日： | 2012-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104969103A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 梁迪 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02F1/025 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 混杂MOS光调制器。该光调制器包括光波导、包含第一材料并且在该光波导中形成的阴极、以及包含不同于第一材料的第二材料并且在该光波导中形成的阳极，该阳极邻接于阴极，在该阳极和该阴极之间限定电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 混杂 mos 调制器 | ||
【主权项】：
混杂MOS光调制器，其包括：光波导；阴极，包含第一材料并且在所述光波导中形成；以及阳极，包含不同于所述第一材料的第二材料并且在所述光波导中形成，所述阳极邻接所述阴极，电容器在所述阳极和所述阴极之间限定。
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