[发明专利]混杂MOS光调制器

权利要求书

1.混杂MOS光调制器，其包括：

光波导；

阴极，包含第一材料并且在所述光波导中形成；以及

阳极，包含不同于所述第一材料的第二材料并且在所述光波导中形成，所述阳极邻接所述阴极，电容器在所述阳极和所述阴极之间限定。

2.如权利要求1所述的光调制器，在所述阳极和所述阴极之间进一步包含介电质。

3.如权利要求2所述的光调制器，其中所述介电质包含所述第一材料和所述第二材料中至少一种的本征氧化物。

4.如权利要求1所述的光调制器，其中所述第一材料包含半导体，所述第二材料包含半导体。

5.如权利要求1所述的光调制器，其中所述第一材料包含III-V化合物，所述第二材料包含硅。

6.如权利要求1所述的光调制器，其中所述电容器由邻接所述光波导的分离沟槽限定。

7.如权利要求1所述的光调制器，其中所述光调制器限定了微环形状。

8.如权利要求1所述的光调制器，其中：

所述电容器大体为圆形；并且

所述阴极和阳极的一个大体为圆形，而另一个为部分环形且部分环绕前述的一个。

9.如权利要求1所述的光调制器，所述光调制器进一步包括在所述光波导中形成的多个部分反射体，并且在多个部分反射体间限定了法布里-珀罗谐振器，所述法布里-珀罗谐振器至少部分包围所述电容器。

10.如权利要求1所述的光调制器，其中：

所述阳极包含位于所述阴极相对侧上的第一阳极和第二阳极，并且在所述第一阳极和所述阴极之间限定了第一沟道，在所述第二阳极和所述阴极之间限定了第二沟道；且

所述光波导包含位于邻接所述电容器的所述第一沟道中的第一支路和位于所述第二沟道中的第二支路，所述光调制器包含马赫-曾德尔结构。

11.如权利要求所述的光调制器，进一步包含至少一个另外的电极，所述另外的电极包含不同于所述阴极和所述阳极中至少一个的材料，第三电极在所述光波导中形成并且与所述阴极和所述阳极中的至少一个一起限定另外的电容器。

12.如权利要求1所述的光调制器，其中所述阴极和阳极通过晶片键合和整体式生长中的至少一种被整合。

13.一种制造光调制器的方法，包括：

在由基板携带的第一半导体层中形成分离沟槽；

在所述第一半导体层的一部分中注入离子；

在所述第一半导体层上形成第二半导体层，所述第二半导体不同于所述第一半导体，电容器被限定在所述第一半导体层和第二半导体层之间；

在所述第一半导体层和第二半导体层中形成光波导；

除去所述第二半导体层的一部分以暴露所述第一半导体层的一部分；

在所述第一半导体层的所述暴露部分上形成电极；以及

在所述第二半导体层上形成电极。

14.如权利要求13所述的方法，进一步包括在所述第一半导体层和第二半导体层之间形成介电质。

15.如权利要求13所述的方法，其中，形成所述介电质包括以下的至少一种：将所述第二半导体层晶片键合至所述第一半导体层、在所述第一半导体层上沉积介电质、诱导所述第一半导体层和第二半导体层中至少之一的氧化、以及旋转。