[发明专利]蚀刻液组合物的应用以及蚀刻方法有效
| 申请号： | 201280070725.7 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104160486B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 田口雄太;齐藤康太 | 申请（专利权）人： | 株式会社ADEKA |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;C23F1/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 吴宗颐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明的目的在于提供下述蚀刻液组合物和蚀刻方法，其在对包括氧化铟系膜和金属系膜的层叠膜一并进行蚀刻时，在氧化铟系膜和金属系膜之间不会产生大的台阶，包含氧化铟系膜和金属系膜的细线的宽度较小，此外，可以直线性良好地进行蚀刻。本发明蚀刻液组合物的特征在于包含：高铁离子成分、氯化氢成分、以及选自下述通式(1)表示的化合物和碳数1～4的直链或支链状醇中的至少1种以上的化合物成分(式(1)中，R1、R3各自独立地表示氢或碳数1～4的直链或支链状烷基，R2表示碳数1～4的直链或支链状亚烷基，n表示1～3的数)。 |
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| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 应用 以及 方法 | ||
【主权项】：
蚀刻液组合物在用于对包括氧化铟系膜和金属系膜的层叠膜一并进行蚀刻中的应用，所述蚀刻液组合物由包含以下物质的水溶液形成，(A)高铁离子成分、(B)氯化氢成分、和(C)选自下述通式(1)表示的化合物和碳数1～4的直链或支链状醇的至少1种以上的化合物成分，![]()
式(1)中，R1、R3各自独立地表示氢或碳数1～4的直链或支链状烷基，R2表示碳数1～4的直链或支链状亚烷基，n表示1～3的数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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