[发明专利]蚀刻液组合物的应用以及蚀刻方法

说明书

技术领域

本发明涉及蚀刻液组合物以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法，更详细地，涉及用于对包括氧化铟系膜和金属系膜的层叠膜一并进行蚀刻的蚀刻液组合物以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。

背景技术

已知关于透明导电膜等所使用的氧化铟系膜的湿式蚀刻技术有多种多样，从低价且蚀刻速度良好的角度考虑，大多使用含有氯化氢的水溶液作为蚀刻液组合物。

例如，在专利文献1中公开了含有氯化铁和氯化氢的铟-锡氧化物(下文有时简称为ITO)用蚀刻液组合物。

此外，作为未使用氯化氢的蚀刻液，例如专利文献2中公开了作为铜或铜合金的蚀刻剂的含有铜离子、有机酸、卤素离子、唑类和聚亚烷基二醇的水溶液。在此，聚亚烷基二醇用于抑制电解镀铜层的溶解，促进作为基底导电层的无电解镀铜层的蚀刻。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-231427号公报

专利文献2：日本特开2006-111953号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，例如，在通过使用上述公开的蚀刻液对包含ITO膜和铜膜的层叠膜一并进行蚀刻以形成包含ITO膜和铜膜的直线性良好的细线的情况下，有时存在无法控制蚀刻速度因而无法获得所期望宽度的细线的情况，也有时存在细线呈现蛇行的情况，这是存在的问题。此外，最大的问题在于：由于对ITO膜和铜膜的蚀刻速度的差异较大，因此，位于与基板表面平行方向的ITO膜的蚀刻宽度与位于同一方向的铜膜的蚀刻宽度之间差异较大，导致在形成细线的ITO膜和铜膜之间产生大的台阶(step)，这是存在的问题。

因此，本发明是为了解决上述问题而完成的，本发明的目的在于提供下述蚀刻液组合物和使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法，其在对包括氧化铟系膜和金属系膜的层叠膜一并进行蚀刻时，在氧化铟系膜和金属系膜之间不会产生大的台阶，包含氧化铟系膜和金属系膜的细线的细度宽度小，并且可以直线性良好地进行蚀刻。

解决课题的方法

本发明人等为了解决上述问题进行了深入研究，结果发现：包含高铁离子成分、氯化氢成分以及选自下述通式(1)表示的化合物和碳数1～4的直链或支链状醇中的至少1种以上的化合物成分的蚀刻液组合物可以解决上述问题，至此完成了本发明。

[化1]

(式中，R¹、R³各自独立地表示氢或碳数1～4的直链或支链状烷基，R²表示碳数1～4的直链或支链状亚烷基，n表示1～3的数)。

即，本发明提供一种蚀刻液组合物，其用于对包括氧化铟系膜和金属系膜的层叠膜一并进行蚀刻，其由包含以下物质的水溶液形成：

(A)高铁离子成分(下文有时简称为A成分)、

(B)氯化氢成分(下文有时简称为B成分)、和

(C)选自上述通式(1)表示的化合物和碳数1～4的直链或支链状醇的至少1种以上的化合物成分(下文有时简称为C成分)。

此外，本发明提供一种对包括氧化铟系膜和金属系膜的层叠膜一并进行蚀刻的蚀刻方法，其特征在于使用上述蚀刻液组合物。

发明效果

通过本发明的蚀刻液组合物可以实现以下效果：在对包括氧化铟系膜和金属系膜的层叠膜一并进行蚀刻时，在氧化铟系膜和金属系膜之间不会产生大的台阶，包含氧化铟系膜和金属系膜的细线的宽度小，此外，可以直线性良好地进行蚀刻。

因此，本发明的蚀刻液组合物可特别适用于通过对ITO膜和金属系膜一并进行蚀刻来形成细线时所使用的蚀刻方法。

附图说明

图1是表示评价试验中L¹、L²的关系的示意图。

具体实施方式

下面，具体说明本发明的实施方式。

首先，本说明书中所述的“氧化铟系膜”是指：只要是包含氧化铟的膜，就没有特殊限定，是包含选自例如氧化铟、铟-锡氧化物和铟-锌氧化物中的1种以上的膜的统称。

此外，本发明书中所述的“金属系膜”是指：只要是包含金属的膜，就没有特殊限定，是金属膜和/或合金膜，金属膜的金属选自例如铜、镍、钛、铬、银、钼、铝、铂和钯等，合金膜含有选自铜、镍、钛、铬、银、钼、铝、铂和钯的2种以上金属，是选自例如CuNi、CuNiTi、NiCr、Ag-Pd-Cu等合金膜中的1种以上的膜的统称。