[发明专利]用于织构化硅基板表面的工艺、结构化基板和包括结构化基板的光伏装置有效
| 申请号： | 201280070503.5 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104488090B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | N.哈布卡;P.布尔津;P.罗卡伊卡巴洛卡斯 | 申请（专利权）人： | 道达尔销售服务公司;国家科学研究中心;巴黎综合理工学院 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于织构化硅基板表面的方法，包括将所述表面暴露于MDECR等离子体的步骤，该MDECR等离子体由氩气在矩阵分布式电子回旋共振等离子体源中产生，其中等离子体功率在1.5W/cm2至6.5W/cm2的范围内，基板的偏压在100V至300V的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 织构化硅基板 表面 工艺 结构 化基板 包括 装置 | ||
【主权项】：
一种用于织构化硅基板表面的方法，其特征在于，该方法包括：在低于200℃的温度下，将所述表面暴露于功率在1.5W/cm2至6.5W/cm2的范围内的高密度Ar等离子体或高密度Ar和H2混合物的等离子体，该混合物中的Ar的流量是该H2的流量的三倍高，并且该基板的RF偏压在100V至300V的范围内，且其中工作压力为0.7帕斯卡或1.3帕斯卡，将该表面暴露于该高密度Ar等离子体或高密度Ar和H2混合物的等离子体的时间在1分钟至30分钟的范围内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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