[发明专利]用于织构化硅基板表面的工艺、结构化基板和包括结构化基板的光伏装置有效

申请号：	201280070503.5	申请日：	2012-12-20
公开（公告）号：	CN104488090B	公开（公告）日：	2018-01-30
发明（设计）人：	N.哈布卡;P.布尔津;P.罗卡伊卡巴洛卡斯	申请（专利权）人：	道达尔销售服务公司;国家科学研究中心;巴黎综合理工学院
主分类号：	H01L31/0236	分类号：	H01L31/0236
代理公司：	北京市柳沈律师事务所11105	代理人：	邱军
地址：	法国***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	用于织构化硅基板表面工艺结构化基板包括装置
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【权利要求书】：

1.一种用于织构化硅基板表面的方法，其特征在于，该方法包括：在低于200℃的温度下，将所述表面暴露于功率在1.5W/cm²至6.5W/cm²的范围内的高密度Ar等离子体或高密度Ar和H₂混合物的等离子体，该混合物中的Ar的流量是该H₂的流量的三倍高，并且该基板的RF偏压在100V至300V的范围内，且其中工作压力为0.7帕斯卡或1.3帕斯卡，将该表面暴露于该高密度Ar等离子体或高密度Ar和H₂混合物的等离子体的时间在1分钟至30分钟的范围内。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该等离子体为矩阵分布式电子回旋共振型高密度等离子体。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该等离子体为通过电感耦合产生的高密度等离子体。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该等离子体为通过谐振电感耦合产生的等离子体，该等离子体也称为螺旋等离子体。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该等离子体为膨胀热等离子体。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将该表面暴露于该高密度Ar等离子体或高密度Ar和H₂混合物的等离子体的时间大于1分钟。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在暴露于该高密度Ar等离子体或高密度Ar和H₂混合物的等离子体的步骤之前，执行织构化步骤以得到微米级棱锥。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该硅基板由晶体硅制成。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该硅基板由100或111取向的，处于抛光、蚀刻或粗锯状态的晶体硅制成。

10.一种结构化硅基板，其特征在于，通过权利要求1至6，8至9中任一项中所述的方法获得，且包括具有卷起面形态结构的织构表面。

11.根据权利要求10所述的结构化硅基板，其特征在于，该卷起面结构为单一卷起面形态的结构。

12.根据权利要求11所述的结构化硅基板，其特征在于，该卷起面的高度为200nm并且厚度为20nm。

13.根据权利要求12所述的结构化硅基板，其特征在于，该单一卷起面形态的结构的平均外直径在150nm至250nm的范围内。