[发明专利]能量储存装置、能量储存装置的制造方法以及包含能量储存装置的移动电子装置有效
| 申请号： | 201280070312.9 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN104115246B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | D.S.加德纳;T.V.阿尔布里奇;C.W.霍尔兹沃思;C.L.平特;Z.陈;W.C.金;Y.刘;J.L.古斯塔夫森 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/30;H01G11/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 徐予红,汤春龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 能量储存装置包括中间段(610)，包括多个双面多孔结构(500)，其中每个包含其两个相对表面(515，525)中的多个通道(511)；上段(620)，包括单面多孔结构(621)，其中包含其表面(625)中的多个通道(622)；以及下段(630)，包括单面多孔结构(631)，其中包含其表面(635)中的多个通道(632)。 | ||
| 搜索关键词： | 能量 储存 装置 制造 方法 以及 包含 移动 电子 | ||
【主权项】：
一种能量储存装置，包括：具有第一表面和相对第二表面的第一双面多孔结构，所述第一双面多孔结构包含：第一组通道，其中每个具有到所述第一双面多孔结构的所述第一表面的开口；第二组通道，其中每个具有到所述第一双面多孔结构的所述第二表面的开口；所述第一与第二组通道之间的导电中心部分；以及所述第一组通道和所述第二组通道中包含的电解质；与所述第一双面多孔结构的所述第一表面相邻的第一单面多孔结构，所述第一单面多孔结构具有第一表面和相对第二表面，并且包含第三组通道，所述第三组通道中每个具有到所述第一单面多孔结构的所述第一表面的开口，并且所述第三组通道中每个包含电解质；以及与所述第一双面多孔结构的所述第二表面相邻的第二单面多孔结构，所述第二单面多孔结构具有第一表面和相对第二表面，并且包含第四组通道，所述第四组通道中每个具有到所述第二单面多孔结构的所述第一表面的开口，并且所述第四组通道中每个包含电解质。
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