[发明专利]能量储存装置、能量储存装置的制造方法以及包含能量储存装置的移动电子装置有效
申请号: | 201280070312.9 | 申请日: | 2012-02-21 |
公开(公告)号: | CN104115246B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | D.S.加德纳;T.V.阿尔布里奇;C.W.霍尔兹沃思;C.L.平特;Z.陈;W.C.金;Y.刘;J.L.古斯塔夫森 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01G11/26 | 分类号: | H01G11/26;H01G11/30;H01G11/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 徐予红,汤春龙 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 能量 储存 装置 制造 方法 以及 包含 移动 电子 | ||
1.一种能量储存装置,包括:
具有第一表面和相对第二表面的第一双面多孔结构,所述第一双面多孔结构包含:
第一组通道,其中每个具有到所述第一双面多孔结构的所述第一表面的开口;
第二组通道,其中每个具有到所述第一双面多孔结构的所述第二表面的开口;
所述第一与第二组通道之间的导电中心部分;以及
所述第一组通道和所述第二组通道中包含的电解质;
与所述第一双面多孔结构的所述第一表面相邻的第一单面多孔结构,所述第一单面多孔结构具有第一表面和相对第二表面,并且包含第三组通道,所述第三组通道中每个具有到所述第一单面多孔结构的所述第一表面的开口,并且所述第三组通道中每个包含电解质;以及
与所述第一双面多孔结构的所述第二表面相邻的第二单面多孔结构,所述第二单面多孔结构具有第一表面和相对第二表面,并且包含第四组通道,所述第四组通道中每个具有到所述第二单面多孔结构的所述第一表面的开口,并且所述第四组通道中每个包含电解质。
2.如权利要求1所述的能量储存装置,还包括:
在所述第一单面多孔结构的所述第二表面的第一导电层,所述第一导电层具有第一极性;以及
在所述第二单面多孔结构的所述第二表面的第二导电层,所述第二导电层具有与所述第一极性相反的第二极性。
3.如权利要求1所述的能量储存装置,还包括:
所述单面多孔结构之一与所述第一双面多孔结构之间的分离器,其中所述分离器防止所述第一双面多孔结构与所述单面多孔结构之间的电接触,但是准许来自所述电解质的离子电荷载流子经过。
4.如权利要求1所述的能量储存装置,还包括:
所述第一双面多孔结构与所述第一单面多孔结构之间的第一分离器,所述第一分离器防止所述第一双面多孔结构与所述第一单面多孔结构之间的电接触,但是准许来自所述电解质的离子电荷载流子经过;以及
所述第一双面多孔结构与所述第二单面多孔结构之间的第二分离器,所述第二分离器防止所述第一双面多孔结构与所述第二单面多孔结构之间的电接触,但是准许来自所述电解质的离子电荷载流子经过。
5.如权利要求1所述的能量储存装置,还包括:
与所述第一双面多孔结构相邻的第二双面多孔结构,其中所述第二双面多孔结构具有第一表面和相对第二表面,并且包含:
第五组通道,其中每个具有到所述第二双面多孔结构的所述第一表面的开口;
第六组通道,其中每个具有到所述第二双面多孔结构的所述第二表面的开口;
所述第五与第六组通道之间的导电中心部分;以及
所述第五组通道和所述第六组通道中包含的电解质。
6.如权利要求5所述的能量储存装置,其中:
所述第一和第二双面多孔结构电化学地串联连接。
7.如权利要求5所述的能量储存装置,其中:
所述第一双面多孔结构电化学地连接到所述第一单面多孔结构;以及
所述第二双面多孔结构电化学地连接到所述第二单面多孔结构,使得所产生的等效电路包含并联电连接的多个电容器。
8.如权利要求1所述的能量储存装置,其中:
所述多孔结构的至少一个包括其中包含所述通道的内部区域和与所述内部区域相邻的外部区域;以及
所述外部区域比所述内部区域要厚。
9.如权利要求8所述的能量储存装置,其中:
所述外部区域包括所述多孔结构的未蚀刻部分。
10.如权利要求1所述的能量储存装置,其中:
所述双面多孔结构由半导通材料或由导通材料来形成。
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