[发明专利]用于具有自对准源极和栅极的氮化镓垂直JFET的方法和系统在审
| 申请号： | 201280068146.9 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104067384A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·R·迪斯尼;伊舍克·C·克孜勒亚尔勒;聂辉;林达·罗马诺;理查德·J·布朗;马丹·拉伊 | 申请（专利权）人： | 阿沃吉有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;郑斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第III族氮化物衬底；耦接到第III族氮化物衬底并且具有台面的第一第III族氮化物外延层；以及耦接到台面的顶表面的第二第III族氮化物外延层。该半导体器件还包括：耦接到台面的侧表面的第III族氮化物栅极结构；以及配置成提供第二第III族氮化物外延层与第III族氮化物栅极结构之间电绝缘的隔离物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 对准 栅极 氮化 垂直 jfet 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种制造垂直JFET的方法，所述方法包括：提供第一导电类型的第III族氮化物衬底；形成耦接到所述第III族氮化物衬底的所述第一导电类型的第一第III族氮化物外延层；形成耦接到所述第一第III族氮化物外延层的所述第一导电类型的第二第III族氮化物外延层；形成耦接到所述第二第III族氮化物外延层的第一掩模层；去除所述第一掩模层和所述第二第III族氮化物外延层的至少一部分以露出所述第二第III族氮化物外延层的垂直侧壁和所述第一第III族氮化物外延层的水平表面；形成耦接到所述第二第III族氮化物外延层的所述垂直侧壁和所述第一第III族氮化物外延层的所述水平表面的隔离物；以及去除所述第一第III族氮化物外延层的至少一部分以形成所述垂直JFET的沟道区，其中将所述隔离物用作蚀刻掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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