[发明专利]双相成对脉冲经颅磁刺激在审

专利信息
申请号: 201280067500.6 申请日: 2012-09-07
公开(公告)号: CN104093449A 公开(公告)日: 2014-10-08
发明(设计)人: 屠奥马斯·内乌沃宁;亨利·汉努拉;古斯塔夫·涅菲特;亚尔莫·莱内 申请(专利权)人: 奈科斯迪姆公司
主分类号: A61N2/02 分类号: A61N2/02;A61B5/04;G01R33/48
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;刘华联
地址: 芬兰赫*** 国省代码: 芬兰;FI
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摘要: 在本发明的一个方面,提供一种利用来自TMS线圈装置的双相双脉冲对刺激受试者,来记录对经颅磁刺激(TMS)的反应的方法,其中在所述双相双脉冲对中第二脉冲的振幅低于第一脉冲的振幅。利用双相双脉冲对,特别是其第二脉冲强度低于第一脉冲强度的双相双脉冲对实现了显著的优点。由于可以降低刺激的数量和强度,所以与标准的单脉冲刺激相比,更简单且更精确地实现了测量。
搜索关键词: 相成 脉冲 经颅磁 刺激
【主权项】:
一种记录对经颅磁刺激(TMS)的反应的方法,包括以下步骤:诱导出来自TMS线圈装置的双相双脉冲对以刺激受试者,其特征在于,在所述双相双脉冲对中,相对于第一脉冲,第二脉冲具有较低的振幅;在所述TMS刺激后,测量受试者对所述TMS刺激的反应。
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