[发明专利]双相成对脉冲经颅磁刺激

说明书

技术领域

本发明涉及利用成对脉冲的经颅磁刺激(TMS)。

背景技术

TMS在医学研究领域有多种用途。通常，TMS线圈装置用于无创伤地刺激受试者的头颅。在典型操作中，TMS线圈产生一系列的单脉冲，其刺激受试者头颅上的或头颅内的特定位置。

在大部分非治疗的情况中，测量受试者基于接收到的刺激的反应是很重要的。就脑映射功能而言，这一点是特别重要的。

现有的单脉冲刺激法存在着问题，因为在同一系列的脉冲中，受试者对刺激的反应可能在后续刺激的期间开始。因为在实际刺激期间，许多测量装置也受到线圈刺激的影响，所以读数和测量是不可能或不可靠的。

因此，需要减少为了引起反应而需要给予受试者的刺激量，其通常称为运动阈值(MT)。在使用单脉冲的同时仍要获得可测量的受试者对刺激的反应，就脉冲数量和强度而言，用于限制给出的刺激量的选择是有限的。

发明内容

本发明的目的是提供一种在经颅磁刺激中利用双相双脉冲的方法。

本发明的一个方面是提供一种记录对经颅磁刺激(TMS)的反应的方法，利用来自TMS线圈装置的双相双脉冲对来刺激受试者，其中在所述双相双脉冲对中，相对于第一脉冲，第二脉冲具有较低的振幅，并且在所述TMS刺激后测量受试者对所述TMS刺激的反应。

此外，在本发明的某些实施例的一个方面中，当所述TMS线圈装置不主动产生磁刺激时，在某个时间点进行所述测量步骤。

根据某些实施例，在所述双相双脉冲对的第一脉冲完成后的少于1毫秒，优选少于0.5毫秒产生所述双相双脉冲对的第二脉冲。此外，在双相双脉冲对的第二脉冲结束的2毫秒内、优选15毫秒内、更优选50毫秒内、还更优选100毫秒内，可以没有由所述TMS线圈装置所产生的磁刺激。

此外，根据某些实施例，在所述双相双脉冲对的第二脉冲结束至对至少第一部分的受试者对所述双相双脉冲对的反应进行测量前，所述TMS线圈装置不产生磁场。

根据某些实施例，所述双相双脉冲对的第二脉冲比所述双相双脉冲对的第一脉冲低5-50％之间，优选低10-20％之间。此外，所述双相双脉冲对的第一脉冲的振幅比受试者的正常运动阈值低5-40％之间，优选低15-30％之间，更优选低18-20％之间。

此外，本发明的一方面是提供一种非暂时性的计算机可读媒介，其上存储有一组用于使处理器控制TMS线圈装置与测量装置以实施上述方法的步骤的指令。

附图说明

图1显示了根据本发明一个实施例的系统的示例。

图2显示了根据本发明一个实施例的系统的另一示例。

图3显示了根据本发明一个实施例的包括独立认知包的系统的另一示例。

图4显示了根据本发明一个实施例的语音映射的方法的高级流程图。

图5显示了根据本发明一个实施例的语音映射的方法的更详细的流程图。

具体实施方式

成对脉冲也称作双脉冲或高频冲击，可将其用于增加受试者对刺激的生理反应或更有效地中断正在进行的大脑认知过程。通常地，一对脉冲或一阵脉冲中的第一脉冲与后来的脉冲的强度可以相同、基本相同，或者第一脉冲可以具有比第二脉冲或后来的脉冲更高或更低的强度。然而，如本文将讨论的，在一对或一系列脉冲中，当第二脉冲或后续脉冲的振幅比第一脉冲低时，将实现显著的优势。

双相双脉冲刺激可以用于代替一系列的重复的经颅磁刺激脉冲。一个双相双脉冲由两个完整的正弦波组成或构成。一旦通过刺激线圈传递了第一双相正弦波脉冲，则第二双相正弦波脉冲也得以传递。这可以通过以被控制的时间间隔将两个独立的电容器放电来完成。此外，该装置可包括单相刺激器电路。

图1和图2体现了该设想。脉冲1的振幅为A₁，周期为t_p1。类似地，脉冲2的振幅为A₂，周期为t_p2。由脉冲1和脉冲2构成的双相双脉冲对的第一脉冲和第二脉冲之间的时间为t_c。

通常根据所期望的生理效果来选择双脉冲的脉冲之间的时间间隔t_c。通常情况下，短的脉冲重复时间间隔的效果与长的重复时间间隔的效果相反。例如，用于经颅磁刺激的双脉冲可以具有例如对应于50Hz-1000Hz的重复频率的1-20毫秒的范围内的脉冲之间的时间间隔。