[发明专利]三卤硅烷精制设备有效
| 申请号： | 201280066745.7 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104039701A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李成圭;申俊浩;李钟求;金性均 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;C01B33/037;B01D3/14 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李静;黄丽娟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种三卤硅烷精制设备和三卤硅烷精制方法。所述三卤硅烷精制设备可以用于在消耗少量能量的同时由含有三卤硅烷的进料获得高纯度的三卤硅烷。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 精制 设备 | ||
【主权项】：
一种三卤硅烷精制设备，包括：分隔壁蒸馏塔；和连接至所述分隔壁蒸馏塔的第一蒸馏塔，其中，所述分隔壁蒸馏塔具有形成于其中的上部塔区、初分离区、主分离区和下部塔区，并且包括：进口，安装该进口以将含有三卤硅烷的进料引入所述初分离区；第一出口，安装该第一出口以允许所述上部塔区中的组分的流出并满足以下表达式2；第二出口，安装该第二出口以允许所述主分离区中的组分的流出；以及第三出口，安装该第三出口以允许所述下部塔区中的组分的流出并满足以下表达式3：表达式20.0139P3–0.6467P2+12.692P+27.716≤Tt≤0.0139P3–0.6467P2+12.692P+37.716表达式30.016P3–0.7386P2+14.3P+78.759≤Tb≤0.016P3–0.7386P2+14.3P+88.759其中，Tt表示所述第一出口的温度或通过所述第一出口流出的组分的温度，Tb表示所述第三出口的温度或通过所述第三出口流出的组分的温度，P表示所述分隔壁蒸馏塔的上部塔区的操作压力。
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