[发明专利]三卤硅烷精制设备

权利要求书

1.一种三卤硅烷精制设备，包括：

分隔壁蒸馏塔；和

连接至所述分隔壁蒸馏塔的第一蒸馏塔，

其中，所述分隔壁蒸馏塔具有形成于其中的上部塔区、初分离区、主分离区和下部塔区，并且包括：

进口，安装该进口以将含有三卤硅烷的进料引入所述初分离区；

第一出口，安装该第一出口以允许所述上部塔区中的组分的流出并满足以下表达式2；

第二出口，安装该第二出口以允许所述主分离区中的组分的流出；以及

第三出口，安装该第三出口以允许所述下部塔区中的组分的流出并满足以下表达式3：

表达式2

0.0139P³–0.6467P²+12.692P+27.716≤Tt≤0.0139P³–0.6467P²+12.692P+37.716

表达式3

0.016P³–0.7386P²+14.3P+78.759≤Tb≤0.016P³–0.7386P²+14.3P+88.759

其中，Tt表示所述第一出口的温度或通过所述第一出口流出的组分的温度，Tb表示所述第三出口的温度或通过所述第三出口流出的组分的温度，P表示所述分隔壁蒸馏塔的上部塔区的操作压力。

2.根据权利要求1所述的三卤硅烷精制设备，其中，安装所述第二出口以满足以下表达式1：

表达式1

0.0132P³–0.624P²+12.673P+41.371≤Tm≤0.0132P³–0.624P²+12.673P+51.371

其中，Tm表示所述第二出口的温度或通过所述第二出口流出的组分的温度，P表示所述分隔壁蒸馏塔的上部塔区的操作压力。

3.根据权利要求1或2所述的三卤硅烷精制设备，其中，所述上部塔区的操作压力在1.3至23Kg/sqcmG的范围内。

4.根据权利要求1所述的三卤硅烷精制设备，其中，具有相对于总理论塔板数的30％以上的长度的分隔壁存在于所述分隔壁蒸馏塔中。

5.根据权利要求1所述的三卤硅烷精制设备，其中，所述上部塔区或下部塔区的开口长度为800mm至3,500mm。

6.根据权利要求1所述的三卤硅烷精制设备，其中，所述进口安装于所述初分离区的1/10至9/10部分以引入进料。

7.根据权利要求1所述的三卤硅烷精制设备，其中，所述第二出口形成于所述分隔壁蒸馏塔的主分离区中分隔壁部分的1/9至8/9部分。

8.根据权利要求1所述的三卤硅烷精制设备，其中，所述第一蒸馏塔连接至所述分隔壁蒸馏塔以引入通过所述第二出口流出的组分。

9.根据权利要求1所述的三卤硅烷精制设备，还包括：

第二蒸馏塔，该第二蒸馏塔连接至所述分隔壁蒸馏塔以引入通过所述第三出口流出的组分。

10.根据权利要求1所述的三卤硅烷精制设备，还包括：

第三蒸馏塔，安装该第三蒸馏塔以引入从所述第一蒸馏塔的下部流出的组分。