[发明专利]用于电压转换器的装置和方法有效
申请号: | 201280066414.3 | 申请日: | 2012-11-13 |
公开(公告)号: | CN104169826A | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | P.H.R.波普尔韦尔;J.F.平戈特;F.G.巴尔特努;M.威尔逊;M.塔克威尔 | 申请(专利权)人: | 天工方案公司;纳吉拉有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56;H03F1/30 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 于小宁 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供用于电压转换器的装置和方法。在一个实施例中,电压转换系统包括旁路电路和电压转换器,所述电压转换器包括电感器和被配置为控制通过所述电感器的电流的多个开关。所述旁路电路包括第一p-型场效应晶体管(PFET)、第二PFET、第一n-型场效应晶体管(NFET)和第二NFET。所述第一和第二NFET晶体管以及所述第一和第二PFET晶体管电连接在所述电感器的第一端和第二端之间,使得所述第一PFET晶体管的源极和所述第一NFET晶体管的漏极电连接到所述电感器的第一端,并且使得所述第二PFET晶体管的漏极和所述第二NFET晶体管的源极电连接到所述电感器的第二端。 | ||
搜索关键词: | 用于 电压 转换器 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种电压转换系统,包括:电压转换器,其包含电感器和被配置为控制通过所述电感器的电流的多个开关;以及旁路电路,其包含第一p‑型场效应晶体管(PFET)、第二PFET、第一n‑型场效应晶体管(NFET)和第二NFET,所述第一和第二NFET晶体管以及所述第一和第二PFET晶体管电连接在所述电感器的第一端和第二端之间,使得所述第一PFET晶体管的源极和所述第一NFET晶体管的漏极电连接到所述电感器的第一端,并且使得所述第二PFET晶体管的漏极和所述第二NFET晶体管的源极电连接到所述电感器的第二端。
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